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J-GLOBAL ID：201702227037704179   整理番号：17A0253190

光起電力型電界効果トランジスター

Photovoltage field-effect transistors

著者 (2件)： ADINOLFI Valerio (Univ. Toronto, Ontario, CAN) ,  SARGENT Edward H. (Univ. Toronto, Ontario, CAN)
資料名： Nature (London)  (Nature (London))
巻： 542  号： 7641  ページ： 324-327  発行年： 2017年02月16日 
JST資料番号： D0193B  ISSN： 0028-0836  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 赤外放射の検出によって,暗視,健康管理,光通信,三次元物体認識が可能になる。シリコンは,現代のエレクトロニクスに広く用いられているが,その電子バンドギャップが原因で約1100nmより長い波長の光を検出できない。従って,シリコン系光検出器の性能を,シリコンのバンドギャップを超えて赤外スペクトルまで拡張することは,興味深い。今回我々は,電荷輸送にシリコンを用いるが,量子ドット光吸収体を使用するため赤外光に対する感度も高い光起電力型電界効果トランジスターを実証する。シリコンと量子ドットの界面で光起電力が発生するとともに,シリコンデバイスによって高い相互コンダクタンスが得られるため,利得が高く(波長1500nmで光子1個当たり電子10⁴個以上),時間応答が迅速で(10μs未満),スペクトル応答を広く調節できる。今回の光起電力型電界効果トランジスターは,これまでの赤外増感型シリコン系検出器と比較して,波長1500nmで5桁高い応答度を示す。この増感作用は,室温で溶液プロセスを用いて実現したものであり,(ゲルマニウムやIII-V族半導体に用いられるような)従来の高温エピタキシャル半導体成長に依存していない。今回の結果は,シリコンを用いた赤外光検出の効率的なプラットフォームとしてコロイド量子ドットを使用でき,その性能は最先端のエピタキシャル半導体に匹敵することを示している。Copyright Nature Japan KK 2017

シソーラス用語： *FET【トランジスタ】 ,  量子ドット ,  *光起電力 ,  赤外スペクトル ,  コロイド ,  ケイ素 ,  半導体 ,  素子構造 ,  感度 ,  速度 ,  *赤外検出器
準シソーラス用語： コロイド量子ドット ,  シリコン ,  デバイス構造 ,  応答速度 ,  赤外センサ

分類 (3件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  光伝導,光起電力  (BM03050J) ,  赤外・遠赤外領域の測光と光検出器  (BD07032W)

タイトルに関連する用語 (2件)： 光起電力 ,  電界効果トランジスター