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J-GLOBAL ID：201702227064225958   整理番号：17A1720587

Arイオンビームによる黒りんの層に制御された細線化【Powered by NICT】

Layer-controlled thinning of black phosphorus by an Ar ion beam

著者 (11件)： Park Jin Woo (School of Advanced Materials Science and Engineering, Sungkyunkwan University, Suwon 16419, Republic of Korea. [e-mail]) ,  Jang Sung Kyu ,  Kang Dong Ho ,  Kim Doo San ,  Jeon Min Hwan ,  Lee Won Oh ,  Kim Ki Seok ,  Lee Sung Joo ,  Park Jin-Hong ,  Kim Kyong Nam ,  Yeom Geun Young
資料名： Journal of Materials Chemistry C. Materials for Optical, Magnetic and Electronic Devices  (Journal of Materials Chemistry C. Materials for Optical, Magnetic and Electronic Devices)
巻： 5  号： 41  ページ： 10888-10893  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2383A  ISSN： 2050-7526  CODEN： JMCCCX  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 黒リン(BP)は,ナノエレクトロニクス素子への応用のための,BP層の数に依存して0.3eV(バルク)から2.0eV(単分子層)にバンドギャップエネルギー変化を含む,そのユニークな特性により,最も興味深い二次元(2D)層状材料の一つである。一般に,BPを含む2次元層状材料は時間,温度などのようなプロセス因子に起因する合成の面で限界があり,このようにして,2D材料にバルク材料から薄化技術は,除去層の厚さを制御しながら使用する必要がある。本研究では,BPの層制御薄化は,制御されたAr~+イオンビーム法を用いて行ったとBP薄化特性を調べた。45 48eVの範囲でほぼ単一エネルギーのイオンエネルギーを用いて,BPは表面粗さを増加させることなくと化学結合状態を変化させずに二重層BPまで~0.55nm分~ 1の薄化速度を薄くすることができた。元BPにBP酸化も同じAr~+イオンビームを用いて除去することに成功した。薄い二重層10層BPを用いて作製した2D BP電界効果トランジスタ(FET)は,制御された単一エネルギーAr~+イオンビームによって薄くBP層に電気的損傷を示唆しない元のBP FETのそれに類似した電気特性を示した。Copyright 2017 Royal Society of Chemistry All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 二次元 ,  *アルゴン ,  酸化 ,  電気特性 ,  *黒リン ,  積層材料 ,  FET【トランジスタ】 ,  *細線化 ,  *イオンビーム ,  化学結合 ,  単分子層
準シソーラス用語： 二重層 ,  イオンエネルギー ,  バンドギャップエネルギー ,  ナノエレクトロニクス , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 無機化合物一般及び元素  (CD01010D)

タイトルに関連する用語 (5件)： Ar ,  イオンビーム ,  黒りん ,  層 ,  細線化