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J-GLOBAL ID:201702227230414616   整理番号:17A0470979

とよう素化学気相輸送によるCu_2GeS_3バルク単結晶の成長【Powered by NICT】

Growth of Cu2GeS3 bulk single crystals by chemical vapor transport with iodine
著者 (4件):
資料名:
巻: 194  ページ: 16-19  発行年: 2017年 
JST資料番号: E0935A  ISSN: 0167-577X  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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薄膜太陽電池の有望な材料であるCu_2GeS_3のバルク結晶を二種類のヨウ素濃度を用いた化学気相輸送を用いて成長させた。X線回折(XRD)は,両試料はCu_2GeS_3結晶のみから構成されていることを示唆した。Ramanスペクトルは結晶に結晶,異なる優先方位によると思われる間で変化し,フレーク状結晶のXRDパターンから示唆された。制限視野電子回折パターンは,単斜晶Cu_2GeS_3と一致スポットの規則的配列,試料は単斜晶系構造を持つ単結晶Cu_2GeS_3されることを示唆した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】
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分類 (3件):
分類
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炭素とその化合物  ,  塩基,金属酸化物  ,  セラミック・陶磁器の製造 
タイトルに関連する用語 (5件):
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