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J-GLOBAL ID:201702227256242290   整理番号:17A1036324

システムレベル解に対する1ynm NANDフラッシュメモリの読出し妨害誤差の研究【Powered by NICT】

Investigation of read disturb error in 1Ynm NAND flash memories for system level solution
著者 (5件):
資料名:
巻: 2017  号: IRPS  ページ: PM-6.1-PM-6.4  発行年: 2017年 
JST資料番号: W2441A  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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1ynm NANDフラッシュメモリの読み出し妨害特性を研究した。ワード線間の誤差規則は1ynm(2~nd世代20nm以下)3層セル(TLC)NANDフラッシュで観察された。,誤り訂正符号(ECC)能力を超える信頼できないページが発生する。ECC能力を最適化するために,Bose-Chaudhuri-Hocquenghem(BCH)ECCを用いたシステムレベルのソリューションを紹介した。ECC計算のための信頼できないページにパリティビットを加えることにより,補正可能なビット誤り率(BER)は1.3によって増加させることができる。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】
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, 【Automatic Indexing@JST】
分類 (2件):
分類
JSTが定めた文献の分類名称とコードです
通信方式一般  ,  ホログラフィー一般 

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