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J-GLOBAL ID：201702227376754359   整理番号：17A0907074

イオン衝撃とアニーリングによってBi_2Se_3における清浄表面とSe空格子点形成の調製【Powered by NICT】

Preparation of clean surfaces and Se vacancy formation in Bi₂Se₃ by ion bombardment and annealing

著者 (4件)： Zhou Weimin (Department of Physics and Astronomy, University of California, Riverside, Riverside, CA 92521, United States) ,  Zhu Haoshan (Department of Physics and Astronomy, University of California, Riverside, Riverside, CA 92521, United States) ,  Valles Connie M. (Department of Physics and Astronomy, University of California, Riverside, Riverside, CA 92521, United States) ,  Yarmoff Jory A. (Department of Physics and Astronomy, University of California, Riverside, Riverside, CA 92521, United States)
資料名： Surface Science  (Surface Science)
巻： 662  ページ： 67-73  発行年： 2017年 
JST資料番号： C0129B  ISSN： 0039-6028  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： セレン化ビスマス(Bi_2Se_3)は積層五重層の構造からなるトポロジカル絶縁体(TI)である。単結晶表面は一般的に機械的へき開によって調製した。本研究では,超高真空(UHV)下で再現性があり,安定Bi_2Se_3表面を製造するための代替法として低エネルギーAr~+イオン衝撃及びアニーリング(IBA)の使用を検討した。清浄で規則性のよい表面を1keVのAr~+イオン衝撃の単一サイクルと30分のアニーリングによって調製できることが分かった。低エネルギー電子回折(LEED)と詳細な低エネルギーイオン散乱(LEIS)測定は,IBA調製表面と超高真空中でその場へき開によって調製された間の違いを示さなかった。LEEDパターンの解析は最適アニーリング温度は約450°Cであることを示した。アニーリング温度が520°Cを超えると角度LEISスキャンは,表面Se空孔の形成を明らかにするCopyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： *セレン ,  単結晶 ,  *イオン衝突 ,  規則度 ,  超高真空 ,  *焼なまし ,  低速電子回折 ,  被覆層 ,  再現性 ,  *清浄面 ,  低速イオン散乱 ,  トポロジカル絶縁体
準シソーラス用語： アニーリング温度 ,  低エネルギー ,  セレン化ビスマス , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (5件)： 半導体の表面構造  (BK15030A) ,  物理化学一般その他  (CB01030T) ,  金属の表面構造  (BK15020P) ,  塩基,金属酸化物  (CD01030Z) ,  物理的手法を用いた吸着の研究  (CB12043P)

タイトルに関連する用語 (6件)： イオン衝撃 ,  アニーリング ,  清浄表面 ,  Se ,  空格子点 ,  調製