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J-GLOBAL ID：201702227379386742   整理番号：17A1836230

原子論的タイトバインディングシミュレーションによるSi/SiGe PMOS Schottky接触の評価:我々は10~ 9Ωcmターゲットを達成することができる【Powered by NICT】

Assessment of Si/SiGe PMOS Schottky contacts through atomistic tight binding simulations: Can we achieve the 10^-9 Ω cm? target?

著者 (8件)： Sarangapani Prasad (Network for Computational Nanotechnology, Purdue University, West Lafayette, IN) ,  Weber Cory (Intel Corporation, 2501 NW 229th Ave, Hillsboro, OR) ,  Chang Jiwon (Intel Corporation, 2501 NW 229th Ave, Hillsboro, OR) ,  Cea Stephen (Intel Corporation, 2501 NW 229th Ave, Hillsboro, OR) ,  Golizadeh-Mojarad Roksana (Intel Corporation, 2501 NW 229th Ave, Hillsboro, OR) ,  Povolotskyi Michael (Network for Computational Nanotechnology, Purdue University, West Lafayette, IN) ,  Klimeck Gerhard (Network for Computational Nanotechnology, Purdue University, West Lafayette, IN) ,  Kubis Tillmann (Network for Computational Nanotechnology, Purdue University, West Lafayette, IN)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： NANO  ページ： 83-84  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Mooreの法則にしたがってデバイスの連続収縮により,金属-半導体抵抗率は素子性能に対して重要な役割を果たし始める。2023年までに10~ 9Ωcm~2のITRS目標に合致するためには,接触抵抗に及ぼすドーピング濃度,Schottky障壁高さ,歪とSiGeモル分率のような種々のデバイスパラメータの影響を評価することが重要である。本研究では,そのような抵抗率の研究は10バンド原子論的強束縛量子輸送シミュレーションによるSi/SiGe PMOS接触に行われてきた。ドーピング濃度の関数として障壁高さのための最適目標値が得られた。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 半導体 ,  *電気抵抗率 ,  接触抵抗 ,  モル分率
準シソーラス用語： 障壁高さ ,  *シリコンゲルマニウム ,  Schottky障壁高さ ,  ITRS ,  Mooreの法則 ,  *PMOS構造 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 半導体-金属接触  (BM03084G)

タイトルに関連する用語 (7件)： Si ,  SiGe ,  PMOS ,  Schottky接触 ,  評価 ,  Cm ,  ターゲット