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J-GLOBAL ID：201702227425438320   整理番号：17A1645783

SOI等価を用いた高K三金属二重ゲートSON TFETの性能解析と比較研究【Powered by NICT】

Performance analysis and comparative study of high-K triple metal double gate SON TFET with SOI equivalent

著者 (2件)： Kumari Tripty (Electronics and Telecommunication Engineering, Jadavpur University, Kolkata, India) ,  Sarkar Subir Kumar (Electronics and Telecommunication Engineering, Jadavpur University, Kolkata, India)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： DevIC  ページ： 159-163  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 高K SON三重金属二重ゲートTFETの性能の比較解析をSOI三重金属二重ゲートTFETを用いて行った。表面電位,電場,およびドレイン電流の解析モデルは高K SON三重金属二重ゲートTFETのために開発され,MATLABでシミュレートした。SILVACO ATLASを用いて検証した。高K SON三重金属はSOI等価より電流に対する改善を示した。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 解析モデル ,  電流 ,  重金属 ,  電場 ,  *性能分析 ,  表面電位
準シソーラス用語： ATLAS ,  MATLAB ,  ドレイン電流 ,  *トンネル電界効果トランジスタ ,  *二重ゲート , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (7件)： SOI ,  等価 ,  二重ゲート ,  SON ,  TFET ,  性能解析 ,  研究