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J-GLOBAL ID：201702227490150955   整理番号：17A0509851

懸濁シリコン薄ナノワイヤ中のフォノン拡散輸送の長さスケール

Length Scale of Diffusive Phonon Transport in Suspended Thin Silicon Nanowires

著者 (5件)： RAJA Shyamprasad N. (ETH Zurich, Zuerich, CHE) ,  RHYNER Reto (ETH Zurich, Zuerich, CHE) ,  VUTTIVORAKULCHAI Kantawong (ETH Zurich, Zuerich, CHE) ,  LUISIER Mathieu (ETH Zurich, Zuerich, CHE) ,  POULIKAKOS Dimos (ETH Zurich, Zuerich, CHE)
資料名： Nano Letters  (Nano Letters)
巻： 17  号： 1  ページ： 276-283  発行年： 2017年01月 
JST資料番号： W1332A  ISSN： 1530-6984  CODEN： NALEFD  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： DC自己加熱法を用いて,400~2000 nmの異なる懸濁長さの,高度にドープした薄いSiナノワイヤにおける熱輸送を測定した。放物線的温度プロファイルによって,懸濁した長さそれ自身の約1/4の長さスケールのフォノン輸送が測定された。熱接触抵抗を考慮すると,これまでプローブされた完全に拡散的なフォノン輸送の長さスケール(O(100)nm)から顕著な偏差はない。平均自由行路が100 nmより大きいフォノンは,バルクのSiにおける熱伝導度κの約60%に寄与するので,κにおける長さ依存性がないことは,著しい拡散的フォノン境界散乱であることを示している。

シソーラス用語： *ナノワイヤ ,  *散乱 ,  フォノン ,  長さ ,  加熱 ,  *輸送現象 ,  温度分布 ,  接触抵抗 ,  平均自由行程 ,  熱伝導率
準シソーラス用語： *シリコンナノワイヤ ,  *フォノン散乱 ,  長さスケール ,  自己加熱 ,  熱輸送 ,  温度プロフィル ,  *フォノン輸送 ,  平均自由行路 ,  熱伝導度

分類 (1件)： 結晶中のフォノン・格子振動  (BL03020Z)

タイトルに関連する用語 (7件)： 懸濁 ,  シリコン ,  ナノワイヤ ,  フォノン ,  拡散 ,  輸送 ,  長さスケール