文献

J-GLOBAL ID：201702227530117450   整理番号：17A1593352

ZnOの多結晶性に及ぼすAlドーピング量の影響を研究した。【JST・京大機械翻訳】

Effect of Al Dosage on the Performance of ZnO Polycrystals

著者 (5件)： Liu Dandan (昆明理工大学材料科学与工程学院,昆明,650000) ,  Song Shijin (昆明理工大学材料科学与工程学院,昆明,650000) ,  Qiu Xinghuang (昆明理工大学材料科学与工程学院,昆明,650000) ,  Tan Wenpeng (昆明理工大学材料科学与工程学院,昆明,650000) ,  Yu Lan (昆明理工大学材料科学与工程学院,昆明,650000)
資料名： Guisuanyan Tongbao  (Guisuanyan Tongbao)
巻： 36  号： 4  ページ： 1278-1282,1287  発行年： 2017年 
JST資料番号： C2439A  ISSN： 1001-1625  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 中国語 (ZH)

抄録/ポイント： 六方晶ウルツ鉱型Zn1-xAlxO(0≦x≦0.005)多結晶を,固相反応法により調製し,ZnOの結晶形態と熱輸送特性に及ぼすAlドーピングの影響を調べ,AlドーピングはZnO結晶粒の成長を促進し,結晶粒界を減少させた。x=0.005では,結晶粒界に分布したZnAl2O4スピネル相が現れた。二成分焼結後に,電気抵抗率は,一次焼結試料のそれよりも1~2桁大きくなった。ドープしたサンプルはZnOの半導体挙動から電気抵抗率が著しく低下した金属挙動に変化し、一次焼結サンプルはx=0.004で最小の室温抵抗率~10mΩcmを有し、主にドーピングによりサンプルのキャリア濃度と移動度が著しく向上した。300~950Kでドーピングしたサンプルの熱電ポテンシャルの絶対値とパワー因子はいずれも温度の上昇につれて増大し、x=0.004の時に最大の室温パワー因子~0.11 mW/m・K2があった。ZnO中のAlドーピングの飽和固溶度は0.004~0.005の範囲にあることが分かった。Data from Wanfang. Translated by JST【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *アルミニウム ,  電気抵抗率 ,  固相反応 ,  移動度 ,  結晶粒界 ,  *ドーピング ,  結晶形態 ,  *酸化亜鉛 ,  スピネル ,  六方晶系 ,  *多結晶 ,  固溶度 ,  焼結 ,  キャリア密度 ,  結晶粒

著者キーワード (5件)： Zn1-xAlxO polycrystalline bulks ,  primarily sintered ,  secondarily sintered ,  thermoelectric property ,  saturated solution

分類 (2件)： 半導体結晶の電気伝導  (BM03043X) ,  酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (5件)： ZnO ,  多結晶 ,  Al ,  ドーピング ,  研究