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J-GLOBAL ID：201702227615511238   整理番号：17A0998670

バルクヘテロ接合有機太陽電池のための界面バッファ層としての高抵抗率ゾル-ゲルITO薄膜【Powered by NICT】

High-resistivity sol-gel ITO thin film as an interfacial buffer layer for bulk heterojunction organic solar cells

著者 (7件)： Chu A.K. (Department of Photonics, National Sun Yat-sen University, Kaohsiung 804, Taiwan) ,  Tien W.C. (Department of Photonics, National Sun Yat-sen University, Kaohsiung 804, Taiwan) ,  Lai S.W. (Department of Photonics, National Sun Yat-sen University, Kaohsiung 804, Taiwan) ,  Tsai H.L. (Department of Photonics, National Sun Yat-sen University, Kaohsiung 804, Taiwan) ,  Bai R.Y. (Department of Photonics, National Sun Yat-sen University, Kaohsiung 804, Taiwan) ,  Lin X.Z. (Department of Photonics, National Sun Yat-sen University, Kaohsiung 804, Taiwan) ,  Chen L.Y. (Department of Photonics, National Sun Yat-sen University, Kaohsiung 804, Taiwan)
資料名： Organic Electronics  (Organic Electronics)
巻： 46  ページ： 99-104  発行年： 2017年 
JST資料番号： W1352A  ISSN： 1566-1199  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： バルクヘテロ接合有機太陽電池は,ITOアノードとPEDOT:PSS正孔注入層の間の高抵抗率ゾル-ゲルITOバッファ層を挿入することにより作製した。800°Cで1hと急速熱プロセス(RTP)の500°Cでの通常のアニーリングにより処理した20と30sのためのITOアノード表面に形成されたゾル-ゲルITOをもつ素子の性能を比較した。3.5%の最高の電力変換効率は30年代の800°CでRTP処理した15nm厚ゾル-ゲルITOを用いた素子で達成された,AM1.5の照射下で標準器の2.7%と比較した。さらに,デバイスの短絡電流は42.7%有意に増加した。短絡電流の観測された増強はITO陽極とPEDOT:PSSの間の高抵抗率ゾル-ゲルITOで発生した界面エネルギーステップに起因すると考えられる。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 焼なまし ,  *バッファ層 ,  表面エネルギー ,  *電気抵抗率 ,  標準器 ,  *ゲル ,  高速度 ,  *界面 ,  短絡電流 ,  *薄膜
準シソーラス用語： 電力変換効率 ,  正孔注入 ,  PEDOT:PSS ,  *有機太陽電池 ,  *バルクヘテロ接合 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： バルクヘテロ接合有機太陽電池 ,  P3HT:PCBM ,  ゾル-ゲルITO ,  界面工学 ,  急速熱プロセス

分類 (2件)： 太陽電池  (NC03084O) ,  高分子固体の物理的性質  (CG02024U)

タイトルに関連する用語 (7件)： バルクヘテロ接合 ,  有機太陽電池 ,  界面 ,  バッファ層 ,  抵抗率 ,  ゾル-ゲル ,  ITO薄膜