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J-GLOBAL ID：201702227637988102   整理番号：17A1127382

非晶質BNナノ膜からの超低しきい値電界放出【Powered by NICT】

Ultra-low threshold field emission from amorphous BN nanofilms

著者 (6件)： Li Ya-Nan (College of Materials Science and Engineering, Beijing University of Technology, Beijing, 100124, China) ,  Wang Ru-Zhi (College of Materials Science and Engineering, Beijing University of Technology, Beijing, 100124, China) ,  Su Chao-Hua (College of Materials Science and Engineering, Beijing University of Technology, Beijing, 100124, China) ,  Shen Zhen (College of Materials Science and Engineering, Beijing University of Technology, Beijing, 100124, China) ,  Zhang Yue-Fei (Inst. Microstruct. & Property Adv. Mat., Beijing University of Technology, Beijing, 100124, China) ,  Yan Hui (College of Materials Science and Engineering, Beijing University of Technology, Beijing, 100124, China)
資料名： Journal of Alloys and Compounds  (Journal of Alloys and Compounds)
巻： 705  ページ： 734-739  発行年： 2017年 
JST資料番号： D0083A  ISSN： 0925-8388  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,プラズマ増強化学蒸着(PECVD)によって作製した混合相非晶質窒化ホウ素(BN)ナノ膜の電界放出(FE)特性を徹底的に調べた。結果は,少量の立方晶窒化ほう素(c BN)とウルツ鉱型窒化ホウ素(w BN)ナノ結晶との混合非晶質BNナノ膜に対して,ナノ膜のターンオン電場である~0.5V/μmと低く,電場はわずか0.75V/μmであるとき,FE電流密度は~12mA~2に達することができることを示した。しかし,一次立方晶相ナノ結晶BN膜に対しては,FE電流密度はわずか500μA/cm~2;である約2.5mA/cm2の高さであった。相非晶質BNナノ膜の電界放出機構をさらに検討した。混合相非晶質BNのための電界放出増強はナノ結晶界面における異なるエネルギー状態と多チャネル電子輸送における電子ステップ輸送に起因すると考えられる。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 電場 ,  プラズマCVD ,  ナノ結晶 ,  *非晶質 ,  電流密度 ,  窒化ホウ素 ,  界面 ,  *電界放出 ,  *ナノシート
準シソーラス用語： 電子輸送 ,  エネルギー状態 ,  ターンオン電界 ,  ウルツ鉱 ,  CBN【セラミック】 ,  混合相 ,  *ナノ薄膜 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： PECVD ,  BNナノ膜 ,  電界放出 ,  混合非晶質 ,  しきい値場

分類 (3件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  磁気的性質  (WB02020J) ,  粉末製造  (WC02020M)

タイトルに関連する用語 (5件)： 非晶質 ,  BN ,  ナノ膜 ,  しきい値 ,  電界放出