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J-GLOBAL ID：201702227686150754   整理番号：17A1555831

BPPT硬化逐次処理のためのバルクポテンシャル保護技術【Powered by NICT】

BPPT - Bulk potential protection technique for hardened sequentials

著者 (12件)： Nofal I. (IROC Technologies Grenoble, France) ,  Evans A. (IROC Technologies Grenoble, France) ,  He A.-L. (China Institute of Atomic Energy Beijing, China) ,  Guo G. (China Institute of Atomic Energy Beijing, China) ,  Li Yuanqing (IHP, Frankfurt (Oder), Germany) ,  Chen L. (Department of Electrical and Computer Engineering, University of Saskatchewan, Saskatoon, Canada) ,  Liu R. (Department of Electrical and Computer Engineering, University of Saskatchewan, Saskatoon, Canada) ,  Wang H.-B. (Department of Electrical and Computer Engineering, University of Saskatchewan, Saskatoon, Canada) ,  Chen M. (Department of Electrical and Computer Engineering, University of Saskatchewan, Saskatoon, Canada) ,  Baeg S. H. (Department of Communication and Electronic Engineering, Hanyang University, Ansan 426-791, Korea) ,  Wen S.-J. (Cisco Systems Inc., San Jose, CA 95134, USA) ,  Wong R. (Cisco Systems Inc., San Jose, CA 95134, USA)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： IOLTS  ページ： 28-32  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,ソフトエラーに対する硬化記憶と逐次細胞法を示した。バルクポテンシャルに対するイオン化粒子の効果を利用して回路中を伝搬するから誘導されたSETを防ぐことである。提案した方法は,最小数の余分なトランジスタを必要とする。溶液は,Dフリップフロップ設計に適用し,アルファおよび重イオン試験結果を提示した。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： イオン化 ,  トランジスタ ,  *シーケンシャル処理 ,  双安定回路 ,  ソフトエラー ,  重イオン

分類 (3件)： 固体デバイス計測・試験・信頼性  (NC03040G) ,  半導体集積回路  (NC03162T) ,  論理回路  (NC05070B)

タイトルに関連する用語 (4件)： 硬化 ,  逐次処理 ,  バルク ,  ポテンシャル