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J-GLOBAL ID：201702227709959702   整理番号：17A0943192

市販磁気抵抗ランダムアクセスメモリに及ぼす磁場攻撃の研究【Powered by NICT】

Investigation of magnetic field attacks on commercial Magneto-Resistive Random Access Memory

著者 (3件)： Holst Alexander (University of South Florida, Tampa, USA) ,  Jang Jae-Won (Pennsylvania State University, University Park, USA) ,  Ghosh Swaroop (Pennsylvania State University, University Park, USA)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： ISQED  ページ： 155-160  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,フィールドプログラマブルゲートアレイ(FPGA)ベースのメモリ試験装置を用いて外部印加磁場による干渉に磁気抵抗ランダムアクセスメモリ(MRAM)の感受性を研究した。記憶読み出し,書き込みと保持中の磁場強度と方向を増加により過渡及び残留ビット誤り応答を比較するために希土類磁石磁場源を用いた。結果はMRAMの過渡及び残留誤差応答は印加電界強度に比例することを示した。さらに,MRAMは干渉時の擾乱に対する抵抗性を示し,書込サイクル磁気干渉中の破壊的誤差に対してより敏感である。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 符号誤り ,  FPGA ,  干渉 ,  感受性 ,  *磁気 ,  *記憶装置 ,  電界強度 ,  試験装置 ,  *磁場
準シソーラス用語： 印加電圧 ,  希土類磁石 ,  磁場強度 ,  読出し ,  印加磁場 ,  *ReRAM , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 半導体集積回路  (NC03162T) ,  集積回路一般  (NC03161C)

タイトルに関連する用語 (5件)： 磁気 ,  抵抗ランダムアクセスメモリ ,  磁場 ,  攻撃 ,  研究