制御された欠陥生成によるグラフェンの熱膨張の調整【Powered by NICT】

Lopez-Polin Guillermo; Ortega Maria; Vilhena J.G.; Vilhena J.G.; Alda Irene; Gomez-Herrero J.; Gomez-Herrero J.; Serena Pedro A.; Gomez-Navarro C.; Gomez-Navarro C.; Perez Ruben; Perez Ruben

文献

J-GLOBAL ID：201702227712378075 整理番号：17A0696903

制御された欠陥生成によるグラフェンの熱膨張の調整【Powered by NICT】

Tailoring the thermal expansion of graphene via controlled defect creation

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資料名：
巻： 116 ページ： 670-677 発行年： 2017年
JST資料番号： H0270B ISSN： 0008-6223 CODEN： CRBNA 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：イギリス (GBR) 言語：英語 (EN)

ほとんどの材料とは対照的に,グラフェンは負の熱膨張係数(TEC)を示しi.e,加熱した時,発症する。収縮は低エネルギー面外振動モードの熱励起に起因した。これら曲げモードは,電子輸送と懸濁グラフェンの機械的応答を支配することが報告されている。本研究では,懸垂したグラフェン膜のTEC中の欠陥の影響を系統的に調べた。空孔の低密度の制御された導入はグラフェンTECを減少させ,5×10~12cm~ 2の欠陥密度に対して,1桁の大きさに達した。著者らの分子動力学シミュレーションは観察された傾向を再現し,TEC低下はその周辺地域における空孔によって生成された歪場による面外ゆらぎの抑制によることを示した。これらの結果は,「現実」グラフェンの特性における欠陥の重要な役割を明らかにし,電子的および機械的欠陥工学の将来の提案のための道を開いた。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

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炭素とその化合物

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