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J-GLOBAL ID：201702227808318378   整理番号：17A1145628

極低温熱伝導度をもつ電子ドープAgBi₃S₅における高い熱電性能

High Thermoelectric Performance in Electron-Doped AgBi₃S₅ with Ultralow Thermal Conductivity

著者 (6件)： TAN Gangjian (Northwestern Univ., Illinois, USA) ,  HAO Shiqiang (Northwestern Univ., Illinois, USA) ,  ZHAO Jing (Northwestern Univ., Illinois, USA) ,  ZHAO Jing (Technical Inst. of Physics and Chemistry, Chinese Acad. of Sci., Beijing, CHN) ,  WOLVERTON Chris (Northwestern Univ., Illinois, USA) ,  KANATZIDIS Mercouri G. (Northwestern Univ., Illinois, USA)
資料名： Journal of the American Chemical Society  (Journal of the American Chemical Society)
巻： 139  号： 18  ページ： 6467-6473  発行年： 2017年05月10日 
JST資料番号： C0254A  ISSN： 0002-7863  CODEN： JACSAT  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 高いメリット値(ZT)を,電子ドープAgBi₃S₅において達成した。これは,地球に豊富で非毒性の元素からなる狭いバンドギャップ半導体である。この高い性能は,本質的に低い熱伝導度と,異原子価イオンドーピングによる電気的性質の最適化の実現可能性に起因する。それは,AgBi₃S₅化合物中のAgおよびBi原子に関連する異常な二重のふらつき行動であることを示した。前記化合物は,最終的には低い熱伝導度の原因となる例外的に高いGrueneisen定数をもたらす。本研究は,特殊な電子またはフォノン輸送特性をもつ高性能熱電材料の探求を触発する。

シソーラス用語： *熱伝導率 ,  ドーピング ,  電子 ,  銀化合物 ,  ビスマス化合物 ,  硫化物 ,  性能指数 ,  バンドギャップ ,  半導体 ,  原子価 ,  電気的性質 ,  Grueneisen定数 ,  輸送現象 ,  *熱電材料 ,  *極低温 ,  輸送係数 ,  電気伝導率
準シソーラス用語： *熱伝導度 ,  熱電性能指数 ,  フォノン輸送 ,  Seebeck係数 ,  電気伝導度 ,  メリット

分類 (2件)： 熱電デバイス  (NC03090J) ,  金属酸化物及び金属カルコゲン化物の結晶構造  (BK07020Y)

タイトルに関連する用語 (4件)： 極低温 ,  熱伝導度 ,  電子 ,  ドープ