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J-GLOBAL ID：201702227830731156   整理番号：17A0589896

ホモエピGaN上ノーマリオフ型MOSFETの開発

Development of SiO₂/GaN MOSFETs on a homo-epitaxial GaN layer.

著者 (1件)： 上野勝典 (富士電機)
資料名： 応用物理  (JSAP International)
巻： 86  号： 5  ページ： 376-380  発行年： 2017年05月10日 
JST資料番号： F0252A  ISSN： 0369-8009  CODEN： OYBSA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 解説  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 近年,SiCを用いたパワーデバイスが市場投入されつつあり,次世代パワーデバイスとして期待されている。また,シリコン(Si)上に形成したGaN-HEMTはさらなる高速動作により,これまでにない電力用アプリケーションの検討が進んでいる。その一方で,青色LEDやレーザーの進展により,GaNのバルク結晶が市販されるようになってきた。GaNの電子デバイスはこれまで,異種基板上に形成したGaN上で2次元電子ガスを利用したHEMT構造のデバイスが主体であったが,バルク結晶を用いれば,SiやSiCデバイスと同様の縦型構造で大電力デバイスが実現できる。そのためには,いくつかの基本となる物性制御技術が必要となる。MOS界面制御は絶縁ゲート駆動デバイスを作製するうえで基本となる技術であり,GaNでその制御と課題を検証する。(著者抄録)

シソーラス用語： *窒化ガリウム ,  ホモエピタクシー ,  層 ,  界面 ,  閾値 ,  制御 ,  基板 ,  二酸化ケイ素 ,  キャリア移動度 ,  電場効果 ,  状態密度 ,  容量電圧特性 ,  マグネシウム ,  ドーピング ,  ゲート絶縁膜 ,  *MOSFET ,  *電力トランジスタ
準シソーラス用語： エピ層 ,  ノーマリオフ ,  *パワーMOSFET ,  界面制御 ,  電界効果移動度

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

引用文献 (32件)：

• T.P. Chow and R. Tyagi: IEEE Trans. Electron Devices 41, 1481 (1994).
• S.L. Selvaraj, T. Suzue, and T. Egawa: IEEE Electr. Device L. 30, 587 (2009).
• B. Lu and T. Palacios: IEEE Electr. Device L. 31, 951 (2010).
• P. Srivastava, J. Das, D. Visalli, M.V. Hove, P.E. Malinowski, D. Marcon, S. Lenci, K. Geens, K. Cheng, M. Leys, S. Decoutere, R.P. Mertens, and G. Borghs: IEEE Electr. Device L. 32, 30 (2011).
• R. Chu, A. Corrion, M. Chen, R. Li, D. Wong, D. Zehnder, B. Hughes, and K. Boutros: IEEE Electr. Device L. 32, 632 (2011).

タイトルに関連する用語 (4件)： GaN ,  マリ ,  MOSFET ,  開発