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J-GLOBAL ID：201702227891194855   整理番号：17A1498867

傾斜電場が存在する場合の量子細線としてInAs/In_0.52Al_0Al0.48におけるサブバンド間光吸収【Powered by NICT】

Intersubband optical absorption in InAs/In_0.52 Al_0.48As quantum wire in the presence of tilted electric field

著者 (3件)： Bouazra A. (Laboratoire de la Matiere Condensee et des Nanosciences (LMCN), Departement de Physique, Faculte des Sciences de Monastir, 5019 Monastir, Tunisia) ,  Nasrallah S. Abdi-Ben (Laboratoire de la Matiere Condensee et des Nanosciences (LMCN), Departement de Physique, Faculte des Sciences de Monastir, 5019 Monastir, Tunisia) ,  Said M. (Laboratoire de la Matiere Condensee et des Nanosciences (LMCN), Departement de Physique, Faculte des Sciences de Monastir, 5019 Monastir, Tunisia)
資料名： Optik  (Optik)
巻： 147  ページ： 328-333  発行年： 2017年 
JST資料番号： D0251A  ISSN： 0030-4026  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,筆者らは傾斜した横方向電場を受けるInAs/In_0.52Al_0Al0.48As量子細線の光学的性質の理論的研究を報告した。この目的のために,有効質量近似を用いた。エネルギー準位とその基底および第一励起状態の波動関数は電場の異なる値に対して計算した。サブバンド間遷移エネルギー,振動子強度と光吸収係数も調べた。幅方向に沿って,傾斜角の影響と量子細線の光学的性質に及ぼす電場の強度を調べた。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： *光吸収 ,  エネルギー準位 ,  傾斜角 ,  *電場 ,  振動子強度 ,  光学的性質 ,  吸収係数 ,  励起状態 ,  *量子細線 ,  *ヒ化インジウム ,  波動関数
準シソーラス用語： 吸光係数 ,  サブバンド間遷移 ,  有効質量近似 ,  *サブバンド , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： InAs/InAlAs ,  量子細線 ,  サブバンド間遷移エネルギー ,  振動子強度 ,  吸収係数

分類 (3件)： 非線形光学  (BD05000T) ,  半導体レーザ  (BD04070L) ,  酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (5件)： 電場 ,  量子細線 ,  InAs ,  サブバンド ,  光吸収