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J-GLOBAL ID：201702227896729330   整理番号：17A1637065

SiGe低温低雑音増幅器広帯域高ダイナミックレンジの設計と特性化【Powered by NICT】

Design and characterization of a wideband high-dynamic range SiGe cryogenic low noise amplifier

著者 (3件)： Wong Wei-Ting (Department of Electrical and Computer Engineering, University of Massachusetts Amherst, Amherst, Massachusetts 01003-9292) ,  Coskun Ahmet Hakan (Department of Electrical and Computer Engineering, University of Massachusetts Amherst, Amherst, Massachusetts 01003-9292) ,  Bardin Joseph C. (Department of Electrical and Computer Engineering, University of Massachusetts Amherst, Amherst, Massachusetts 01003-9292)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： IMS  ページ： 1972-1975  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 高ダイナミックレンジのための最適化低温SiGeH BT低雑音増幅器の設計と特性化を提示した。設計は,弱い非線形性,雑音および小信号性能を記述する同時にできる低温SiGeH BTモデルを活用した。集積回路は大域的鋳造工場0.12μm BiCMOS8HP技術プラットフォームで実現され,1~20GHzで動作する。60mWの消費電力でバイアスと17Kの物理温度で作動させた場合,増幅器は,23dBと60dB/GHzの平均利得とSFDRを提供した。著者の知識の及ぶ限りでは,これは低温での広帯域集積回路LNAにより達成された最大SFDRである。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： *雑音 ,  *低温 ,  *増幅器 ,  鋳造工場 ,  *低雑音増幅器 ,  集積回路 ,  利得 ,  *広帯域 ,  非線形性 ,  最適化 ,  *キャラクタリゼーション ,  消費電力
準シソーラス用語： SFDR ,  *高ダイナミックレンジ ,  *シリコンゲルマニウム , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 増幅回路  (NC05040U)

タイトルに関連する用語 (7件)： SiGe ,  低温 ,  低雑音増幅器 ,  広帯域 ,  高ダイナミックレンジ ,  設計 ,  特性化