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J-GLOBAL ID:201702227918025717   整理番号:17A1832313

強化された開回路電圧をもつ高性能1,3-ビス(チエノ[3,4-b]チオフェン-6-イル)-4H-チエノ[3,4-c]ピロール-4,6(5H)-ジオンベース高分子太陽電池に向けての立体障害調節【Powered by NICT】

Steric-Hindrance Modulation toward High-Performance 1,3-Bis(thieno[3,4-b]thiophen-6-yl)-4H-thieno[3,4-c]pyrrole-4,6(5H)-dione-Based Polymer Solar Cells with Enhanced Open-Circuit Voltage
著者 (10件):
資料名:
巻:号: 11  ページ: ROMBUNNO.201700213  発行年: 2017年 
JST資料番号: W2482A  ISSN: 2199-160X  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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溶液処理したバルクヘテロ接合高分子太陽電池(PSC)は,光起電力が不可欠である。電子供与体としてのπ共役ドナー-アクセプタ共重合体はこの分野で最も多く研究されている話題として基礎となっている。チエノ[3,4-c]ピロール-4,6-ジオン(TPD)は最も一般的に使用される電子吸引基の一つである。TPDに基づいて,1,3-ビス(チエノ[3,4-b]チオフェン-6-イル)-4H-チエノ[3,4-c]ピロール-4,6(5H)-ジオン(TBTT),新しいビルディングブロックを設計し,電子受容体としてPC_71BMを利用したとき,新しい低バンドギャップTPD共重合体は0.633Vの低い開回路電圧(V_oc)で7.5%までの電力変換効率(PCE)を開発した。TBTTベース重合体の性能を促進するために,四種類の共役共重合体を,BDT部分のアルキル側鎖との立体障害を調節することによりTBTTとベンゾジチオフェン(BDT)ビルディングブロックに基づいて設計し,合成した。PC_71BMと混合した付加的なn-ヘキシル側鎖を有するポリマP4に基づくPSCは0.78VのV_oc24%増加し,TPD系高分子における最高で9.1%の高いPCEを示した。研究は,高性能光起電力材料の分子設計と合成への新しい洞察を提供した。Copyright 2017 Wiley Publishing Japan K.K. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】
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太陽電池 

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