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J-GLOBAL ID：201702227926178029   整理番号：17A1382843

レーザ照射を用いたXilinx Zynq7010SoCベースシステム(MicroZed)の性能に及ぼす外部メモリ(DDR3)障害の影響予備的研究【Powered by NICT】

Primary investigation the impacts of the external memory (DDR3) failures on the performance of Xilinx Zynq-7010 SoC based system (MicroZed) using laser irradiation

著者 (14件)： Liu Shuhuan (Xi’an Jiaotong University, Xi’an, Shaanxi 710049, China) ,  Du Xuecheng (Xi’an Jiaotong University, Xi’an, Shaanxi 710049, China) ,  Du Xiaozhi (Xi’an Jiaotong University, Xi’an, Shaanxi 710049, China) ,  Zhang Yao (Xi’an Jiaotong University, Xi’an, Shaanxi 710049, China) ,  Mubashiru Lawal Olarewaju (Xi’an Jiaotong University, Xi’an, Shaanxi 710049, China) ,  Luo Dongyang (Xi’an Jiaotong University, Xi’an, Shaanxi 710049, China) ,  yuan Yuan (Xi’an Jiaotong University, Xi’an, Shaanxi 710049, China) ,  Deng Tianxiang (Xi’an Jiaotong University, Xi’an, Shaanxi 710049, China) ,  Li Zhuoqi (Xi’an Jiaotong University, Xi’an, Shaanxi 710049, China) ,  Zang Hang (Xi’an Jiaotong University, Xi’an, Shaanxi 710049, China) ,  Li Yonghong (Xi’an Jiaotong University, Xi’an, Shaanxi 710049, China) ,  He Chaohui (Xi’an Jiaotong University, Xi’an, Shaanxi 710049, China) ,  Ma Yingqi (National Space Science Center Chinese Academy of Sciences, Beijing 100190, China) ,  Shangguan Shipeng (National Space Science Center Chinese Academy of Sciences, Beijing 100190, China)
資料名： Nuclear Instruments & Methods in Physics Research. Section B. Beam Interactions with Materials and Atoms  (Nuclear Instruments & Methods in Physics Research. Section B. Beam Interactions with Materials and Atoms)
巻： 406  号： PB  ページ： 449-455  発行年： 2017年 
JST資料番号： H0899A  ISSN： 0168-583X  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 28nm Xilinx Zynq7010SoCベースシステム(MicroZed)の性能に及ぼす外部ダイナミックメモリ(DDR3)障害の影響を二セット1064nmレーザプラットフォームのを調べた。試験DDR3の裏面にdistributionsons破壊有感面積は主にCWレーザ照射プラットフォームで局在していた。試験ボードシステムのDDR3の裏面にCWレーザ走査中に,SoCの埋め込まれた試験モジュール(ALU,PL,レジスタ,キャッシュとDMA,等)で見られたSEU及びSEL(MBU,SEFI,データ貯蔵アドレス誤差,rebootingなど)を除いて種々の破壊モード。さらに,実験結果は,約1mm×0.5mmで測定された全感受性ブロック面積DDR3の裏面に対称的に配置し16破壊感受性ブロックであることを示した。埋め込まれたモジュールの破壊モードに及ぼす影響因子を主に分析し,ピコ秒パルスレーザにより誘起されたDDR3のSEE特性を試験した。DDR3の破壊モードは,SEU,SEFI,SEL,それ自身によるrebooting試験ボード,未知データなどであった。さらに,DDR3における障害発生の時間間隔分布を,パルスレーザ照射エネルギーによって変化し,CPU動作周波数を測定し,比較した。一方,パルスレーザ照射により誘起されたDDR3の破壊特性を主に調べた。測定結果とこの論文で設計された試験法は厳しい環境におけるテストシステムあるいは他の類似の電子システムの信頼性を評価するためのいくつかの参考情報を提供する。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 対称性 ,  信頼性 ,  レジスタ ,  *レーザ照射 ,  破壊モード ,  連続レーザ ,  ピコ秒 ,  キャッシュメモリ ,  パルスレーザ照射 ,  感受性 ,  走査 ,  電子装置 ,  パルスレーザ ,  データ蓄積
準シソーラス用語： *システムオンチップ , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： 故障モード ,  DDR3 ,  レーザ照射 ,  Xilinx Zynq7010SoC ,  MicroZed

分類 (2件)： レーザ照射・損傷  (BK16040S) ,  その他の物質の放射線による構造と物性の変化  (BK16124V)

タイトルに関連する用語 (4件)： レーザ照射 ,  外部メモリ ,  障害 ,  予備的研究