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J-GLOBAL ID：201702227952040912   整理番号：17A0168570

MOCVD再成長N~+GANオーム接触プロセスF_T/F_(MAX)>150/210GHZのALGAN/GAN HFETSデバイスについて研究した。【JST・京大機械翻訳】

f_T /f_(max) >150 /210 GHz AlGaN/GaN HFETs with regrown n+-GaN Ohmic contacts by MOCVD

著者 (9件)： Lv Yuanjie (Hebei Semiconductor Research Institute) ,  Feng Zhihong (Hebei Semiconductor Research Institute) ,  Song Xubo (Hebei Semiconductor Research Institute) ,  Zhang Zhirong (Hebei Semiconductor Research Institute) ,  Tan Xin (Hebei Semiconductor Research Institute) ,  Guo Hongyu (Hebei Semiconductor Research Institute) ,  Fang Yulong (Hebei Semiconductor Research Institute) ,  Zhou Xingye (Hebei Semiconductor Research Institute) ,  Cai Shujun (Hebei Semiconductor Research Institute)
資料名： Hongwai yu Haomibo Xuebao  (Hongwai yu Haomibo Xuebao)
巻： 35  号： 5  ページ： 534-537,568  発行年： 2016年 
JST資料番号： C0174C  ISSN： 1001-9014  CODEN： HHXUEZ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 高電流利得遮断周波数(F_T)と最大振動数(F_(MAX))を有するALGAN/GANヘテロ接合トランジスタ(HFETS)を,SIC基板ALGAN/GANヘテロ接合材料に基づいて開発した。MOCVDエピタキシャルN+GANオーム接触プロセスに基づいて,デバイスのサイズを縮小し,有効距離(L_(SD))を600NMに縮小した。さらに,60NMのT形を自己整列法によって調製した。デバイスのサイズの縮小により、および=2 Vの場合、デバイスの最大飽和電流(I_(DS))は2.0 MM/MMに達し、この値はALGAN/GAN HFETSデバイスの直流測定の最高値であり、デバイスのピーク相互コンダクタンスは608 MS/MM.に達した。小信号試験は,F_TとF_(MAX)の最大値がそれぞれ152GHZと219GHZであることを示した。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： エピタクシー ,  *Ohm接触 ,  直流 ,  振動数 ,  相互コンダクタンス ,  ヘテロ接合 ,  自己整合 ,  遮断周波数 ,  トランジスタ ,  *MOCVD
準シソーラス用語： 飽和電流 ,  電流利得 ,  *再成長 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： AlGaN /GaN ,  HFET ,  f_T ,  f_(max) ,  regrown Ohmic contacts

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (8件)： MOCVD ,  再成長 ,  オーム接触 ,  プロセス ,  Max ,  AlGaN ,  GaN ,  研究