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J-GLOBAL ID:201702227972114091   整理番号:17A0884985

内部磁気圏における低エネルギー電子の起源について:フラックスとピッチ角分布【Powered by NICT】

On the origin of low-energy electrons in the inner magnetosphere: Fluxes and pitch-angle distributions
著者 (13件):
資料名:
巻: 122  号:ページ: 1789-1802  発行年: 2017年 
JST資料番号: W2389A  ISSN: 2169-9380  CODEN: JGREA2  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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内部磁気圏におけるプラズマフラックスの正確な知識は科学的および計画的応用の両方に必須である。内部磁気圏における低エネルギー電子(十~百eV)の知識は特に重要であるこれらの電子は,種々の物理的過程に作用し,高エネルギーに電子を加速し,それらの損失を引き起こしている。しかし,低エネルギー電子の測定は困難であり,結果として,この個体群は幾分以前に無視されてきた。本研究では,バン・アレン・プローブ衛星に搭載されたヘリウム酸素プロトン電子装置による低エネルギー電子の観測についてもボードLos Alamos国立研究所衛星の磁気圏プラズマ分析器による静止軌道からの観測。~30eVから1keVまでの電子の流束は,静穏および活動期間の両方のピッチ角,McIlwain Lパラメータ,および地方時の関数として定量化した。結果は,このエネルギー領域における低エネルギー電子に対する二源を示す電子プラズマシートの低エネルギー尾部と昼側電離圏の高エネルギーテイルが認められた。これらの個体群は,それらの異なるピッチ角分布の結果として同定した。昼側電離圏からの沿磁力線流出は,静穏および活動期間中の全てのL殻で観察された。著者らの結果は,~30eVの昼側電子沿磁力線流束はL値6と7の,極域電離層内の増強された源を示し特に強いことを示した。Copyright 2017 Wiley Publishing Japan K.K. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】
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磁気圏 
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