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J-GLOBAL ID：201702228031012355   整理番号：17A0252991

スピン制御面発光レーザにおける発振円偏光度の複屈折依存性

Effect of Birefringence on Lasing Circular Polarization in Spin-Controlled Vertical-Cavity Surface-Emitting Lasers

著者 (4件)： 横田信英 (東北大 電通研) ,  竹内隆太郎 (東北大 電通研) ,  八坂洋 (東北大 電通研) ,  池田和浩 (産業技術総合研)
資料名： 電子情報通信学会技術研究報告  (IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻： 116  号： 388(OPE2016 116-158)  ページ： 127-130  発行年： 2017年01月11日 
JST資料番号： S0532B  ISSN： 0913-5685  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： InAlGaAs量子井戸活性層構造面発光半導体レーザ(VCSEL)にスピン偏極電子を光励起することで,初めて円偏光発振特性を評価した。複屈折の低減された発振波長1544nmの室温動作VCSELにおいて,円偏光度約10%が確認できた。また,スピン制御VCSELにおいて高い円偏光度を得るには,VCSELの直線偏光発振を安定化させる強い複屈折を低減することが不可欠であることを明らかにした。スピンフリップレート方程式による解析を通して本測定結果の妥当性を確認し,スピン制御VCSELでは量子井戸活性層における長い電子スピン緩和時間を得ることに加え,メサ領域における複屈折を低減することが重要であることを確認した。(著者抄録)

シソーラス用語： *複屈折 ,  依存性 ,  *円偏光 ,  *レーザ発振 ,  度 ,  制御 ,  スピン分極 ,  光ポンピング ,  発振現象 ,  *垂直共振器形面発光レーザ ,  レート方程式 ,  量子井戸 ,  活性層 ,  電子スピン緩和 ,  緩和時間 ,  アルミニウム化合物 ,  インジウム化合物 ,  ガリウム化合物 ,  ヒ化物
準シソーラス用語： 偏光度 ,  *スピン制御 ,  発振特性 ,  スピンフリップ ,  InAlGaAs

分類 (1件)： 半導体レーザ  (BD04070L)

引用文献 (17件)：

• N. Nishizawa et al.,“A spin light emitting diode incorporating ability of electrical helicity switching,” Appl. Phys. Lett., vol. 104, no. 11, p. 111102, Mar. 2014.
• W. Zaets and K. Ando,“Optical Waveguide Isolator Based on Nonreciprocal Loss/Gain of Amplifier Covered by Ferromagnetic Layer,” IEEE Photon. Technol. Lett., vol. 11, no. 8, pp. 1012-1014, Aug. 1999.
• S. Hallstein et al.,“Manifestation of coherent spin precession in stimulated semiconductor emission dynamics,” Phys. Rev. B, vol. 56, no. 12, pp. R7076-R7079, Sep. 1997.
• H. Ando et al.,“Photon-spin controlled lasing oscillation in surface-emitting lasers,” Appl. Phys. Lett., vol. 73, no. 5, pp. 566-568, Aug. 1998.
• J. Rudolph et al.,“Laser threshold reduction in a spintronic device,” Appl. Phys. Lett., vol. 82, no. 25, pp. 4516-4518, Jun. 2003.

タイトルに関連する用語 (5件)： スピン制御 ,  面発光レーザ ,  円偏光 ,  複屈折 ,  依存性