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J-GLOBAL ID：201702228088286561   整理番号：17A0504522

低温焼結ZnO-V₂O₅-MnO₂バリスタの微細構造と電気的性質

Microstructures and electrical properties of ZnO-V₂O₅-MnO₂ varistors with low-temperature sintering

著者 (5件)： QU Xiao (Changzhou Univ., Changzhou, CHN) ,  SUN Wei-Jie (Changzhou Univ., Changzhou, CHN) ,  WANG Mao-Hua (Changzhou Univ., Changzhou, CHN) ,  CHEN Yong (Changzhou Univ., Changzhou, CHN) ,  ZHANG Han-Ping (Changzhou Univ., Changzhou, CHN)
資料名： Journal of Materials Science. Materials in Electronics  (Journal of Materials Science. Materials in Electronics)
巻： 28  号： 2  ページ： 1909-1913  発行年： 2017年01月 
JST資料番号： W0003A  ISSN： 0957-4522  CODEN： JMTSAS  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ZnOバリスタはAg電極(融点961°C)と共焼結できないが,ZnO-V₂O₅バリスタは焼結温度が900°Cと低温焼結が可能である。MnO₂はZnOの異常グレイン成長を抑える。95at%ZnO+xV₂O₅+(5-x)MnO₂(x=1,2,3,4,5at%)を900°Cで焼結して微細構造と電気特性を調べた。全試料は六方晶ZnO格子で微細構造は主相がZnOで少数二次相がバナジウム酸亜鉛である。V₂O₅モル分率が減少すると平均粒径は10.4から4.5μmに減る。その理由はV₂O₅濃度に関連した豊富な液相の存在でZnOグレインが急速に成長するからである。平均粒径の減少によって,ブレークダウン電界はV₂O₅モル分率の増加で6444から1446V/cmに減少する。20.8の最も高い非線形係数は2at%のV₂O₅と3at%のMnO₂を含む試料で得られた。

シソーラス用語： *バリスタ ,  焼結 ,  *微細構造 ,  *電気的性質 ,  酸化亜鉛 ,  酸化バナジウム ,  酸化マンガン ,  加熱温度 ,  粒径 ,  画像
準シソーラス用語： SEM画像 ,  ZnO ,  酸化バナジウム(V) ,  焼結温度 ,  *低温焼結

分類 (2件)： 固体デバイス材料  (NC03020K) ,  その他の固体デバイス  (NC03150A)

タイトルに関連する用語 (4件)： 低温焼結 ,  バリスタ ,  微細構造 ,  電気的性質