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J-GLOBAL ID：201702228092457798   整理番号：17A1721776

エネルギーハーベスティング応用のためのトンネルFET整流器における逆電流の影響の低減【Powered by NICT】

Reducing the Impact of Reverse Currents in Tunnel FET Rectifiers for Energy Harvesting Applications

著者 (2件)： Nunez Juan (Instituto de Microelectronica de Sevilla, IMSE-CNM (CSIC/Universidad of Sevilla), Sevilla, Spain) ,  Avedillo Maria J. (Instituto de Microelectronica de Sevilla, IMSE-CNM (CSIC/Universidad of Sevilla), Sevilla, Spain)
資料名： IEEE Journal of the Electron Devices Society  (IEEE Journal of the Electron Devices Society)
巻： 5  号： 6  ページ： 530-534  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2429A  ISSN： 2168-6734  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： RF dc受動整流器へのトンネルトランジスタの低電圧で優れた性能から利益を得ることができる。Si FinFETよりも低い入力電力で高い電力変換効率(PCE)を示した。本論文では,それらの固有のダイオードの順方向バイアスに関連する典型的なトンネル電界効果トランジスタ整流器トポロジーの限界を解析し,このを用いてトンネル素子の特異的特性に依存して比較的弱い入力信号で起こり得ることを示した。はこの問題を克服するために整流器の実装における簡単な修正を提案した。我々の提案の影響を広く使用されているゲート交差結合トポロジー上で評価した。提案した設計は,類似のピークPCEと感度を示すが,有意に大きかった入力信号振幅と大きい入力パワーに対してPCEを改善した。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 電力 ,  ダイオード ,  *電流 ,  バイアス ,  *整流器 ,  位相幾何学
準シソーラス用語： 交差結合 ,  電力変換効率 ,  FinFET ,  低電圧 ,  トンネルトランジスタ ,  *トンネル電界効果トランジスタ ,  *エネルギーハーベスティング , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 信号理論  (ND02020G)

タイトルに関連する用語 (5件)： エネルギーハーベスティング ,  応用 ,  トンネルFET ,  整流器 ,  逆電流