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J-GLOBAL ID：201702228107840003   整理番号：17A1121865

ドープしたグラフェンナノリボンにおける半導体-金属転移と準粒子くりこみ【Powered by NICT】

Semiconductor-to-Metal Transition and Quasiparticle Renormalization in Doped Graphene Nanoribbons

著者 (24件)： Senkovskiy Boris V. (II. Physikalisches Institut, Universitaet zu Koln, Zuelpicher Strasse 77, Koln, 50937, Germany) ,  Fedorov Alexander V. (II. Physikalisches Institut, Universitaet zu Koln, Zuelpicher Strasse 77, Koln, 50937, Germany) ,  Fedorov Alexander V. (St. Petersburg State University, Ulyanovskaya ul. 1, St. Petersburg, 198504, Russia) ,  Fedorov Alexander V. (IFW-Dresden, Dresden, Helmholtzstrasse 20, 01069, Germany) ,  Haberer Danny (University of California at Berkeley, 699, Tan Hall, Berkeley, CA, 94720, USA) ,  Farjam Mani (School of Nano Science, Institute for Research in Fundamental Sciences (IPM), P.O. Box 19395-5531, Tehran, Iran) ,  Simonov Konstantin A. (Department of Physics and Astronomy, Uppsala University, Box 516, Uppsala, 75120, Sweden) ,  Simonov Konstantin A. (MAX IV, Lund University, Box 118, Lund, 22100, Sweden) ,  Preobrajenski Alexei B. (MAX IV, Lund University, Box 118, Lund, 22100, Sweden) ,  Martensson Niels (Department of Physics and Astronomy, Uppsala University, Box 516, Uppsala, 75120, Sweden) ,  Atodiresei Nicolae (Peter Gruenberg Institut (PGI-1) and Institute for Advanced Simulation (IAS-1), Forschungszentrum Juelich and JARA, Juelich, D-52425, Germany) ,  Caciuc Vasile (Peter Gruenberg Institut (PGI-1) and Institute for Advanced Simulation (IAS-1), Forschungszentrum Juelich and JARA, Juelich, D-52425, Germany) ,  Bluegel Stefan (Peter Gruenberg Institut (PGI-1) and Institute for Advanced Simulation (IAS-1), Forschungszentrum Juelich and JARA, Juelich, D-52425, Germany) ,  Rosch Achim (Institute for Theoretical Physics, Universitaet zu Koln, Zuelpicher Strasse 77, Koln, 50937, Germany) ,  Verbitskiy Nikolay I. (II. Physikalisches Institut, Universitaet zu Koln, Zuelpicher Strasse 77, Koln, 50937, Germany) ,  Verbitskiy Nikolay I. (Faculty of Physics, University of Vienna, Strudlhofgasse 4, Vienna, A-1090, Austria) ,  Verbitskiy Nikolay I. (Department of Materials Science, Moscow State University, Leninskiye Gory 1/3, Moscow, 119992, Russia) ,  Hell Martin (II. Physikalisches Institut, Universitaet zu Koln, Zuelpicher Strasse 77, Koln, 50937, Germany) ,  Evtushinsky Daniil V. (Helmholtz-Zentrum Berlin fuer Materialien und Energie, Elektronenspeicherring BESSY II, Albert-Einstein-Strasse 15, Berlin, 12489, Germany) ,  German Raphael (II. Physikalisches Institut, Universitaet zu Koln, Zuelpicher Strasse 77, Koln, 50937, Germany) ,  Marangoni Tomas (University of California at Berkeley, 699, Tan Hall, Berkeley, CA, 94720, USA) ,  van Loosdrecht Paul H. M. (II. Physikalisches Institut, Universitaet zu Koln, Zuelpicher Strasse 77, Koln, 50937, Germany) ,  Fischer Felix R. (University of California at Berkeley, 699, Tan Hall, Berkeley, CA, 94720, USA) ,  Grueneis Alexander (II. Physikalisches Institut, Universitaet zu Koln, Zuelpicher Strasse 77, Koln, 50937, Germany)
資料名： Advanced Electronic Materials  (Advanced Electronic Materials)
巻： 3  号： 4  ページ： null  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2482A  ISSN： 2199-160X  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 7アームチェア型グラフェンナノリボンにおける半導体-金属転移はその電子とフォノン系に大きな変化を引き起こす。リチウムをドープしたグラフェンナノリボンの角度分解光電子放出分光法を用いて,2.4から2.1eVまでくりこみ準粒子バンドギャップが観測された。高ドーピングレベル(原子あたり0.05電子)への到達,伝導バンドキャリアの有効質量は自由電子質量に等しい値に増加することが分かった。ドーピングによる有効質量のこの巨大増加は輸送と光学的性質に及ぼす触知可能な影響を持つFermi準位での状態密度を増加させる手段である。電子ドーピングも,Raman強度を減少させる一桁,Gフォノンの比較的小さい(4 cm~ 1)硬化とDフォノンの軟化に帰着した。は格子の膨張と動的効果の両方の重要性を示唆している。本研究では,半導体1D系のドーピングは,2Dまたは3D対応物と著しく異なっており,基礎研究と応用のための高い可能性を有する新しい同調可能な量子材料としてのドープされたグラフェンナノリボンを紹介したことを明らかにした。Copyright 2017 Wiley Publishing Japan K.K. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 有効質量 ,  Fermi準位 ,  光電子放出 ,  *ドーピング ,  *半導体 ,  *くりこみ ,  *グラフェン ,  状態密度 ,  バンドギャップ ,  フォノン ,  伝導バンド ,  *金属-半導体転移 ,  同調 ,  光学的性質
準シソーラス用語： *グラフェンナノリボン , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： ARPES ,  電荷移動ドーピング ,  グラフェン ,  グラフェンナノリボン ,  Raman

分類 (3件)： 半導体結晶の電子構造  (BM02060N) ,  電子分光スペクトル  (BM09060K) ,  酸化物系超伝導体の物性  (BM04023I)

タイトルに関連する用語 (5件)： ドープ ,  グラフェンナノリボン ,  半導体-金属転移 ,  準粒子 ,  くりこみ