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J-GLOBAL ID：201702228155369915   整理番号：17A1549007

シリコンリッチ炭化けい素薄膜をベースとした正孔選択的後部接触における焼なまし温度とドーピングの相互作用【Powered by NICT】

Interplay of annealing temperature and doping in hole selective rear contacts based on silicon-rich silicon-carbide thin films

著者 (12件)： Nogay Gizem (Ecole Polytechnique Federale de Lausanne (EPFL), Institute of Microengineering (IMT), Photovoltaics and Thin-Film Electronics Laboratory (PV-lab), 2000 Neuchatel, Switzerland) ,  Stuckelberger Josua (Ecole Polytechnique Federale de Lausanne (EPFL), Institute of Microengineering (IMT), Photovoltaics and Thin-Film Electronics Laboratory (PV-lab), 2000 Neuchatel, Switzerland) ,  Wyss Philippe (Ecole Polytechnique Federale de Lausanne (EPFL), Institute of Microengineering (IMT), Photovoltaics and Thin-Film Electronics Laboratory (PV-lab), 2000 Neuchatel, Switzerland) ,  Rucavado Esteban (Ecole Polytechnique Federale de Lausanne (EPFL), Institute of Microengineering (IMT), Photovoltaics and Thin-Film Electronics Laboratory (PV-lab), 2000 Neuchatel, Switzerland) ,  Allebe Christophe (CSEM PV-Center, 2000 Neuchatel, Switzerland) ,  Koida Takashi (Research Center for Photovoltaics, National Institute of Advanced Industrial Science and Technology, 1-1-1 Umezono, Tsukuba 305-8568, Japan) ,  Morales-Masis Monica (Ecole Polytechnique Federale de Lausanne (EPFL), Institute of Microengineering (IMT), Photovoltaics and Thin-Film Electronics Laboratory (PV-lab), 2000 Neuchatel, Switzerland) ,  Despeisse Matthieu (CSEM PV-Center, 2000 Neuchatel, Switzerland) ,  Haug Franz-Josef (Ecole Polytechnique Federale de Lausanne (EPFL), Institute of Microengineering (IMT), Photovoltaics and Thin-Film Electronics Laboratory (PV-lab), 2000 Neuchatel, Switzerland) ,  Loper Philipp (Ecole Polytechnique Federale de Lausanne (EPFL), Institute of Microengineering (IMT), Photovoltaics and Thin-Film Electronics Laboratory (PV-lab), 2000 Neuchatel, Switzerland) ,  Ballif Christophe (Ecole Polytechnique Federale de Lausanne (EPFL), Institute of Microengineering (IMT), Photovoltaics and Thin-Film Electronics Laboratory (PV-lab), 2000 Neuchatel, Switzerland) ,  Ballif Christophe (CSEM PV-Center, 2000 Neuchatel, Switzerland)
資料名： Solar Energy Materials and Solar Cells  (Solar Energy Materials and Solar Cells)
巻： 173  ページ： 18-24  発行年： 2017年 
JST資料番号： D0513C  ISSN： 0927-0248  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 全面積過程に依存し,全面積不動態化を提供するp型結晶シリコン太陽電池のための正孔選択背面接触の詳細な最適化を提示した。不動態化正孔接触は化学的に成長させた薄い酸化けい素,真性シリコン中間層と,その上のその場ほう素をドープした非化学量論的シリコンリッチ炭化けい素層から成る層スタックに基づいている。堆積後,構造は775 900°Cでアニールしたドーパント不純物を拡散するc-Siウエハにし,水素化段階を行った。水素化は高品質表面不動態化を得るために不可欠であることを示した。特に,水素源として窒化けい素被覆層をもつガスとアニーリングを形成する中でのアニーリングの効果を比較した。正孔選択接触の系統的最適化,ドーピング濃度,アニーリングパラメータを変化させ,暗示的開回路電圧(iV)および複合比接触抵抗率(ρ)を報告することを示した。は高度にドープした層のための高品質表面不動態化のための最適アニーリング温度は800°Cで低ドープ層の最適焼なまし条件は850°Cにシフトすることを観測した。p型ウエハ上に17mΩcm~2の11.5fA/cm~2とρの飽和電流密度(J)に対応する718mVのiV_値により証明された優れた表面不動態化と効率的な電流輸送。さらに,種々のアニーリング条件でホウ素拡散プロファイルの発展を調べた。最後に,ここで示した全面積正孔選択背面接触と標準ヘテロ接合前面電子接触を用いた概念実証p型ハイブリッド太陽電池を実証した。不動態化背面接触の優れた効率の可能性は21.9%までの変換効率により明らかにされた,708mV,79.9%のFFとJ_sc38.7mA~2のV_ocを可能にした。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： *正孔 ,  *ドーピング ,  不動態化 ,  *焼なまし ,  酸化ケイ素 ,  水素 ,  水素化 ,  窒化ケイ素 ,  *炭化ケイ素 ,  ホウ素 ,  ヘテロ接合 ,  最適化
準シソーラス用語： シリコン太陽電池 ,  開回路電圧 ,  表面不動態化 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (8件)： 不動態化接触 ,  シリコン太陽電池 ,  化学酸化物 ,  ほう素の拡散 ,  接触抵抗率 ,  Hydrogenation ,  SiC_x ,  シリコンヘテロ接合

分類 (1件)： 太陽電池  (NC03084O)

タイトルに関連する用語 (8件)： シリコン ,  炭化 ,  けい素薄膜 ,  正孔 ,  後部 ,  焼なまし温度 ,  ドーピング ,  相互作用