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J-GLOBAL ID：201702228165849468   整理番号：17A1633900

大ゲート周辺GaNH EMTのための新しい小信号パラメータ抽出技術【Powered by NICT】

A New Small-Signal Parameter Extraction Technique for Large Gate-Periphery GaN HEMTs

著者 (5件)： Aamir Ahsan Sheikh (Department of Electrical Engineering, Nanolab, IIT Kanpur, Kanpur, India) ,  Pampori Ahtisham-ul-Haq (Department of Electrical Engineering, Nanolab, IIT Kanpur, Kanpur, India) ,  Ghosh Sudip (Department of Electrical Engineering, Nanolab, IIT Kanpur, Kanpur, India) ,  Khandelwal Sourabh (Department of Science and Engineering, Macquarie University, Sydney, NSW, Australia) ,  Chauhan Yogesh Singh (Department of Electrical Engineering, Nanolab, IIT Kanpur, Kanpur, India)
資料名： IEEE Microwave and Wireless Components Letters  (IEEE Microwave and Wireless Components Letters)
巻： 27  号： 10  ページ： 918-920  発行年： 2017年 
JST資料番号： W0099A  ISSN： 1531-1309  CODEN： IMWCBJ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本短報において,筆者らは外因性レベルRF広帯域(0.5-50 GHz)Zパラメータを用いたGaNH EMTの小信号等価回路モデルを抽出する方法を提案した。大規模ゲート周辺GaNデバイスの測定により求めたZパラメータは興味ある特性を示し,それらの固有の大きな固有容量と外因性インダクタンスとのその後の相互作用に起因した。内因性ばかりでなく外因性小信号モデル成分を抽出し,10 ×90 μm GaNデバイスに対して測定したSパラメータデータによる検証を成功裏にこれらの特性を利用した。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 広帯域 ,  *窒化ガリウム ,  インダクタンス ,  相互作用
準シソーラス用語： Sパラメータ ,  小信号モデル ,  内因性 ,  等価回路モデル ,  *パラメータ抽出 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 発振回路  (NC05020Y) ,  増幅回路  (NC05040U)

タイトルに関連する用語 (4件)： ゲート ,  周辺 ,  EMT ,  パラメータ抽出