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J-GLOBAL ID：201702228185310813   整理番号：17A1447171

ペロブスカイト太陽電池におけるヒステリシスの起源のための可能な機構としてのトンネリング支援トラッピング【Powered by NICT】

Tunneling-Assisted Trapping as one of the Possible Mechanisms for the Origin of Hysteresis in Perovskite Solar Cells

著者 (8件)： Almosni Samy (Research Center for Advanced Science and Technology, The University of Tokyo, Komaba 4-6-1, Meguro-ku, Tokyo, 153-8904, Japan) ,  Almosni Samy (NextPV, LIA CNRS-RCAST/U. Tokyo-U. Bordeaux, The University of Tokyo, Komaba 4-6-1, Meguro-ku, Tokyo, 153-8904, Japan) ,  Cojocaru Ludmila (Research Center for Advanced Science and Technology, The University of Tokyo, Komaba 4-6-1, Meguro-ku, Tokyo, 153-8904, Japan) ,  Li Debin (Silvaco Japan Co., Ltd., Yokohama Landmark Tower 36F, 2-2-1 Minatomirai, Nishi-ku, Yokohama-shi, Kanagawa, 220-8136, Japan) ,  Uchida Satoshi (Komaba Organization for Educational Excellence College of Arts and Sciences, The University of Tokyo, Komaba 3-8-1, Meguro-ku, Tokyo, 153-8902, Japan) ,  Kubo Takaya (Research Center for Advanced Science and Technology, The University of Tokyo, Komaba 4-6-1, Meguro-ku, Tokyo, 153-8904, Japan) ,  Segawa Hiroshi (Research Center for Advanced Science and Technology, The University of Tokyo, Komaba 4-6-1, Meguro-ku, Tokyo, 153-8904, Japan) ,  Segawa Hiroshi (Department of General Systems Studies, Graduate School of Arts and Sciences, The University of Tokyo, Komaba 3-8-1, Meguro-ku, Tokyo, 153-8902, Japan)
資料名： Energy Technology  (Energy Technology)
巻： 5  号： 10  ページ： 1767-1774  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2559A  ISSN： 2194-4288  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ペロブスカイト太陽電池(PSC)は1.55eVで,強い吸収,および長い電荷キャリア拡散長周りのバンドギャップに起因する単一接合太陽電池の中で最高の効率を達成するための有望な候補の一つである。しかし,真の効率に関する混乱を生じさせることをその電流-電圧(I V)曲線で観察された異常なヒステリシスは,安定した電力出力の更なる改善のための深刻な欠点である。I-Vヒステリシスの起源の理解は重要であり,最近の文献で広く議論されてきた。ここでは,PSCのI-V曲線のヒステリシスは,Silvaco Atlasソフトウェアを用いた二次元モデルを用いて研究した。研究はフッ素ドープ酸化スズガラス基板(FTO),コンパクトな酸化チタン(c TiO_2)電子輸送層,メチルアンモニウム鉛三ヨウ化物(MAPbI_3)層,2,2′,7,7′-テトラキス-(N,N-ジ-4-メトキシフェニルアミン)-9,9′-スピロビフルオレン(スピロOMeTAD)正孔輸送層と金バックコンタクトの作製した平面構造細胞を用いて行った。I-V曲線上のc TiO_2/MAPbI_3界面でc TiO_2と再結合におけるトラップ支援電荷蓄積の影響を評価した。研究はこれらの二つのプロセスが,PSCにおけるプリセット走査速度と電圧の関数としてのヒステリシス挙動を再現できることを示した。また,本研究は,C TiO_2/MAPbI_3界面での電荷捕獲と再結合の減少ヒステリシスを減少させ,PSC効率を改善するために重要であることを示唆している。Copyright 2017 Wiley Publishing Japan K.K. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： *トンネル効果 ,  バンドギャップ ,  界面 ,  酸化チタン ,  電流 ,  *太陽電池 ,  金 ,  拡散距離 ,  再結合 ,  電圧 ,  *ヒステリシス ,  帯電
準シソーラス用語： 正孔輸送層 ,  ガラス基板 ,  電荷キャリア , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： デバイスシミュレーション ,  連けいさせるか ,  ヒステリシス ,  ペロブスカイト相 ,  トラッピング

分類 (1件)： 太陽電池  (NC03084O)

タイトルに関連する用語 (6件)： ペロブスカイト太陽電池 ,  ヒステリシス ,  起源 ,  トンネリング ,  支援 ,  トラッピング