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J-GLOBAL ID:201702228232692286   整理番号:17A0910823

レビュー:水素化非晶質シリコンから太陽電池の進歩【Powered by NICT】

Review: Progress in solar cells from hydrogenated amorphous silicon
著者 (6件):
資料名:
巻: 76  ページ: 1497-1523  発行年: 2017年 
JST資料番号: W1084A  ISSN: 1364-0321  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
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水素化非晶質シリコン(a Si:H)は数十年間ドープと固有吸収体薄膜シリコン太陽電池層におけるとして使用されてきた。効率は高品質吸収体層の蒸着により長い時間のための改善されたが,最近の改良は界面のより良い理解に起因し,それらの特異的工学を可能にすることができる。本レビューでは,完全な太陽電池と多重接合デバイスへの単層の成長と特性評価によるa-Si:H太陽電池技術の最先端を再開した。第一吸収層品質に焦点を当てて,界面問題のその後側面を強調し,3D太陽電池設計より詳細にドープした微結晶酸化けい素層とアプローチの成長と役割を考察した。この総説で要約した知見は,薄膜太陽電池から得られたが,a-Si:Hヘテロ接合太陽電池,検出器,あるいはオプトエレクトロニクスデバイスのような他のデバイスの応用のための大きな関心のある特性を有する非常に汎用性の高い材料であることを示した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】
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, 【Automatic Indexing@JST】
分類 (2件):
分類
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太陽電池  ,  太陽光発電 
タイトルに関連する用語 (4件):
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