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J-GLOBAL ID:201702228254245487   整理番号:17A1777013

完全受動導電性橋かけ固体状態RFスイッチ【Powered by NICT】

Fully passive conductive-bridging solid state RF switch
著者 (4件):
資料名:
巻: 2017  号: URSI GASS  ページ: 1-3  発行年: 2017年 
JST資料番号: W2441A  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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設計と導電性架橋メモリ技術に基づく完全パッシブ固体RFスイッチ,一般CBRAMとして知られるの実験結果を報告した。開発した装置は,コプレーナ導波路(CPW)伝送線上の銅-Nafion-アルミニウムスイッチング層を持つ金属-絶縁体-金属(MIM)構造に基づくシャントモードRFスイッチ,3GHz範囲にDCで運用されている。範囲~ 20VのDCパルスをスイッチを操作するために使用されている。設計は最初にFEMに基づくCSTマイクロ波スタジオを用いてシミュレートし,低価格FR4基板上に,洗練されたクリーンルーム技術を用いずに実現し,検証した。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】
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, 【Automatic Indexing@JST】
分類 (1件):
分類
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固体プラズマ 
タイトルに関連する用語 (4件):
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