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J-GLOBAL ID：201702228298568645   整理番号：17A1834392

中赤外のためのシリコンフォトニックデバイス【Powered by NICT】

Silicon photonic devices for the mid-infrared

著者 (13件)： Rouifed M-Said (Silicon Technologies Centre of Excellence, Department of electronic and electrical engineering, Nanyang Technological University, Singapore 639798) ,  Littlejohns Callum G. (Silicon Technologies Centre of Excellence, Department of electronic and electrical engineering, Nanyang Technological University, Singapore 639798) ,  Tina Guo X. (Silicon Technologies Centre of Excellence, Department of electronic and electrical engineering, Nanyang Technological University, Singapore 639798) ,  Sia Jia Xu (Silicon Technologies Centre of Excellence, Department of electronic and electrical engineering, Nanyang Technological University, Singapore 639798) ,  Qiu Haodong (Silicon Technologies Centre of Excellence, Department of electronic and electrical engineering, Nanyang Technological University, Singapore 639798) ,  Penades Jordi Soler (Optoelectronics Research Centre, University of Southampton, Southampton, SO17 1BJ, United Kingdom) ,  Nedeljkovic Milos (Optoelectronics Research Centre, University of Southampton, Southampton, SO17 1BJ, United Kingdom) ,  Zhang Zecen (Silicon Technologies Centre of Excellence, Department of electronic and electrical engineering, Nanyang Technological University, Singapore 639798) ,  Liu Chongyong (Silicon Technologies Centre of Excellence, Department of electronic and electrical engineering, Nanyang Technological University, Singapore 639798) ,  Thomson David J. (Optoelectronics Research Centre, University of Southampton, Southampton, SO17 1BJ, United Kingdom) ,  Mashanovich Goran Z. (Optoelectronics Research Centre, University of Southampton, Southampton, SO17 1BJ, United Kingdom) ,  Reed Graham T. (Optoelectronics Research Centre, University of Southampton, Southampton, SO17 1BJ, United Kingdom) ,  Wang Hong (Silicon Technologies Centre of Excellence, Department of electronic and electrical engineering, Nanyang Technological University, Singapore 639798)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： CLEO-PR  ページ： 1-3  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,短波長赤外とMIR応用のための受動素子の開発に関する著者らの最近の結果を提示した。SOIプラットフォームを用いて,導波路,MMI,螺旋,不均衡MZIのような,いくつかのデバイスは2μmと3.8μmの波長で設計し,作製し,特性化した。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： *波長 ,  キャラクタリゼーション ,  導波路
準シソーラス用語： 受動素子 ,  短波長 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (4件)： その他の光伝送素子  (BD06040S) ,  非線形光学  (BD05000T) ,  光導波路,光ファイバ,繊維光学  (BD06030H) ,  光集積回路,集積光学  (BD06050D)

タイトルに関連する用語 (2件)： シリコン ,  フォトニックデバイス