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J-GLOBAL ID：201702228307710775   整理番号：17A1767245

976nmレーザダイオードを使用する二酸化バナジウム薄膜に基づいた2端子素子のレーザ制御電流スイッチング

Laser-Controlled Current Switching in Two-Terminal Devices Based on Vanadium Dioxide Thin Films Using 976nm Laser Diode

著者 (4件)： KIM Jihoon (Pukyong National Univ., Busan, KOR) ,  JEONG Sun Jae (Pukyong National Univ., Busan, KOR) ,  KIM Bong-Jun (Mobrik Co. Ltd., Daejeon, KOR) ,  LEE Yong Wook (Pukyong National Univ., Busan, KOR)
資料名： Journal of Nanoscience and Nanotechnology  (Journal of Nanoscience and Nanotechnology)
巻： 17  号： 10  ページ： 7280-7285  発行年： 2017年10月 
JST資料番号： W1351A  ISSN： 1533-4880  CODEN： JNNOAR  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 976nm赤外レーザダイオード(LD)を使用して,VO₂薄膜に基づいた2端子プレーナ形素子において0と40mAの間のレーザ制御双方向電流スイッチングを示した。安定なスイッチング運転のためのバイアス電圧範囲が製作したVO₂素子のI-V特性を測定することによって決定された。光-熱誘起可逆的転移(PT)がトリガーされる最小のパルス当たりエネルギー(EPP)がレーザトリガー電流の過渡応答から~960mJであると見出された。~3.8VでバイアスされたVO₂素子において,40mAまでのレーザ制御双方向電流スイッチングが最小EPPを満足する100msで固定されたパルス幅で種々の繰り返し率(0.1-4.0Hz)に対して実現された。スイッチングコントラストは~9756であると測定され,平均上昇および降下時間は~42および~18msとそれぞれ評価された。VO₂ベーススイッチング素子は増強されたスイッチングコントラストで高いオン状態電流を示した。

シソーラス用語： 酸化バナジウム ,  *半導体レーザ ,  *金属-絶縁体転移 ,  スイッチング ,  電流電圧特性 ,  効果 ,  *スイッチング素子
準シソーラス用語： レーザダイオード ,  二酸化バナジウム ,  光熱効果

分類 (2件)： 金属-絶縁体転移  (BM02110T) ,  半導体レーザ  (BD04070L)

タイトルに関連する用語 (6件)： レーザダイオード ,  二酸化バナジウム ,  薄膜 ,  レーザ ,  制御電流 ,  スイッチング