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J-GLOBAL ID:201702228336378483   整理番号:17A1521734

InGaN/GaN多重量子井戸の発光効率に及ぼす局在化表面プラズモンの影響を研究した。【JST・京大機械翻訳】

Influence of Localized Surface Plasmons on The Photoluminescence Efficiency of InGaN/GaN Multiple Quantum Wells
著者 (5件):
資料名:
巻: 38  号:ページ: 324-330  発行年: 2017年 
JST資料番号: W1380A  ISSN: 1000-7032  CODEN: FAXUEW  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: 中国 (CHN)  言語: 中国語 (ZH)
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Agナノ粒子の形態はInGaN/GaN多量子井戸(MQWs)の光ルミネセンス(PL)効率に顕著な影響を与えた。本論文では、イオンビーム堆積(IBD)技術を用いて、InGaN/GaN MQWs上にAgを堆積させ、その後、急速熱アニーリング処理によりAgナノ粒子を調製した。Agの堆積時間を変えることにより、異なるAgナノ粒子の形態を持つサンプルを得た。原子間力顕微鏡を用いて、各サンプルのAgナノ粒子の形態とサイズについて特性化し、吸収スペクトル、室温と変温PLスペクトル及び時間分解光ルミネセンス(TRPL)スペクトルを測定した。結果は以下を示した。Ag堆積時間の延長により、Agナノ粒子の粒径が増大し、粒子の縦横比は最初に増大し、その後減少し、吸収ピークの赤方偏移を示した。異なる形態のAgナノ粒子が入射光によって生成した局在表面プラズモン(LSPs)とMQWs中の励起子結合強度が異なるため、光発光能力も異なり、Agナノ粒子がないサンプルと比べても、より高い発光能力を示した。15sの蒸着時間で,室温でのPL積分強度は6.74倍に抑制され,蒸着時間が25sと35sのとき,室温PL強度はそれぞれ1.55と1.72倍に増加し,ピーク位置は赤方偏移した。室温でのPLの積分強度は,45sの蒸着時間で変化しなかったが,室温PLの積分強度の変化は,LSPsとMQWsの間の励起子カップリングによって引き起こされた。アスペクト比が大きく、吸収スペクトルとMQWsのPLスペクトルが重なっているAgナノ粒子はInGaN/GaN MQWsの発光をよりよく増強できる。Data from Wanfang. Translated by JST【JST・京大機械翻訳】
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分類 (1件):
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発光素子 

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