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J-GLOBAL ID：201702228386948255   整理番号：17A1555256

TSVウエハの背面研削プロセスの動的有限要素モデリング【Powered by NICT】

Dynamic finite element modeling of backside grinding process for TSV wafer

著者 (5件)： Sun Bo (College of Mechanical Engineering and Applied Electronics, Technology, Beijing University of Technology, China) ,  Qin Fei (College of Mechanical Engineering and Applied Electronics, Technology, Beijing University of Technology, China) ,  Sun Jinglong (College of Mechanical Engineering and Applied Electronics, Technology, Beijing University of Technology, China) ,  Chen Pei (College of Mechanical Engineering and Applied Electronics, Technology, Beijing University of Technology, China) ,  An Tong (College of Mechanical Engineering and Applied Electronics, Technology, Beijing University of Technology, China)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： ICEPT  ページ： 894-897  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： (TSV)技術によるシリコンを通してに垂直方向(z方向)における相互接続の最短距離を達成するために積層チップ。しかし,TSVウエハプロセスのための多くの挑戦が必要である。課題の一つは,TSVウエハ裏面研削プロセスである。本論文では,予測モデルは,垂直方向の研磨力を計算するために導入し,動的有限要素モデリング方法論を確立し,TSVウエハ応力を研究するために用いた。応力分布に及ぼすTSVウエハ厚さ,砥石回転速度,研削砥石の送り速度の影響を調べた。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： ケイ素 ,  応力分布 ,  相互接続 ,  研削砥石 ,  *研削 ,  予測モデル ,  回転数 ,  研磨
準シソーラス用語： 送り速度 ,  *有限要素モデリング , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (3件)： 研削  (QC03000R) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  研削・研摩材  (YC06020Q)

タイトルに関連する用語 (6件)： TSV ,  ウエハ ,  背面 ,  研削 ,  プロセス ,  有限要素モデリング