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J-GLOBAL ID：201702228474601514   整理番号：17A1220531

水素化微結晶シリコン膜上の局所表面電位

Local surface potential on hydrogenated microcrystalline silicon films

著者 (5件)： ITOH Takashi (Gifu Univ., Gifu, JPN) ,  SAKAI Takashi (Gifu Univ., Gifu, JPN) ,  ITO Takanori (Gifu Univ., Gifu, JPN) ,  KURIYAMA Hirishi (Gifu Univ., Gifu, JPN) ,  NONOMURA Shuichi (Gifu Univ., Gifu, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 55  号： 1S  ページ： 01AH10.1-01AH10.5  発行年： 2016年01月 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 水素化微結晶シリコン膜上の局所表面電位がKelvin力顕微鏡を使用して調べられた。Asahi Uタイプ基板上に蒸着された膜の表面形態像では,大小の凸状粒子が観測された。i型膜では,大小の凸状粒子の表面電位が大きな凸状粒子の間と小さな凸状粒子の間のそれぞれの凹面領域におけるものより高かった。大きな粒子の間の電位差と大きな粒子の間の領域は,小さな粒子の間のそれと小さな粒子の間の領域よりも大きかった。p型膜の表面電位分布はi型膜のそれと同じ傾向を示した。一方,n型膜の表面電位分布はi型膜のそれと逆傾向を示した。大きな凸状粒子の間の電位差と大きな凸状粒子の間の領域はドーピング比に依存し,p型膜におけるそれはn型膜のそれよりも小さかった。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *ケイ素 ,  水素化 ,  *表面電位 ,  力顕微鏡 ,  粒径 ,  粒子 ,  膜 ,  電圧 ,  蒸着 ,  *表面構造
準シソーラス用語： Kelvin力顕微鏡 ,  電位差 ,  *微結晶シリコン ,  表面形態

分類 (2件)： 半導体の表面構造  (BK15030A) ,  表面の電子構造  (BM02080J)

引用文献 (31件)：

• B. Yan, G. Yue, L. Sivec, J. Yang, S. Guha, and C. S. Jiang, Appl. Phys. Lett. 99, 113512 (2011).
• K. Yamamoto, A. Nakajima, M. Yoshimi, T. Sawada, S. Fukuda, T. Suezaki, M. Ichikawa, Y. Koi, M. Goto, T. Meguro, T. Matsuda, M. Kondo, T. Sasaki, and Y. Tawada, Sol. Energy 77, 939 (2004).
• H. Tan, P. Babal, M. Zeman, and A. H. M. Smets, Sol. Energy Mater. Sol. Cells 132, 597 (2015).
• H. Sai, K. Maejima, T. Matsui, T. Koida, M. Kondo, S. Nakano, Y. Takeuchi, H. Katayama, and I. Yoshida, Jpn. J. Appl. Phys. 54, 08KB05 (2015).
• R. Groenen, J. Loffler, P. M. Sommeling, J. L. Linden, E. A. G. Hamers, R. E. I. Schropp, and M. C. M. van de Sanden, Thin Solid Films 392, 226 (2001).

タイトルに関連する用語 (4件)： 水素化 ,  微結晶 ,  シリコン膜 ,  表面電位