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J-GLOBAL ID:201702228495303495   整理番号:17A1335212

オクチルフェノールの炭化ケイ素@膨張黒鉛修飾電極法による検出【JST・京大機械翻訳】

Detection of Octylphenolusing with Silicon Carbide@Expanded Graphite Modified Electrodes
著者 (7件):
資料名:
巻: 39  号:ページ: 113-119,126  発行年: 2017年 
JST資料番号: C3636A  ISSN: 1674-2869  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: 中国 (CHN)  言語: 中国語 (ZH)
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膨張性黒鉛(EG)層間に炭化ケイ素(SiC)ホイスカを蒸着することによって,複合材料炭化ケイ素@膨張黒鉛(SiC@EG)を調製するために,気相堆積法を用いた。”SiC)を調製した。”C_2O_3”を,炭素繊維上に蒸着させることによって,調製した。異なる形態をもつSiC@EGを,蒸着温度(1200°C,1300°C,1400°C)を変えることによって調製した。走査電子顕微鏡(SEM),サイクリックボルタンメトリー(CV),および電気化学インピーダンス分光法(EIS)によって,調製されたSiC@EGは,良好な電気化学的性能を示し,フェノール類の環境ホルモンを検出するための新しい修飾電極材料として使用されたことが示された,。・・・.は,より良い電気化学的性能を示した。SiC@EG修飾電極におけるオクチルフェノールの電気化学的挙動を研究した。SiC@EG修飾電極におけるオクチルフェノールの酸化挙動に及ぼす影響因子を研究することによって,実験条件を最適化した。最適条件の下で,オクチルフェノールの酸化ピーク電流と濃度は,0.1μmol/L~10μmol/Lの範囲で良好な線形関係を示し,検出限界は35nmol/Lであった。Data from Wanfang. Translated by JST【JST・京大機械翻訳】
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, 【Automatic Indexing@JST】
分類 (2件):
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電気化学反応  ,  二次電池 
タイトルに関連する用語 (4件):
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