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J-GLOBAL ID：201702228528677206   整理番号：17A1626308

Diracフェルミオンを持つもう一つの半金属シリセン同素体の予測【Powered by NICT】

Prediction of another semimetallic silicene allotrope with Dirac fermions

著者 (6件)： Wu Haiping (Department of Applied Physics, Nanjing University of Science and Technology, Nanjing, 210094, China) ,  Qian Yan (Department of Applied Physics, Nanjing University of Science and Technology, Nanjing, 210094, China) ,  Du Zhengwei (Department of Applied Physics, Nanjing University of Science and Technology, Nanjing, 210094, China) ,  Zhu Renzhu (Department of Applied Physics, Nanjing University of Science and Technology, Nanjing, 210094, China) ,  Kan Erjun (Department of Applied Physics, Nanjing University of Science and Technology, Nanjing, 210094, China) ,  Deng Kaiming (Department of Applied Physics, Nanjing University of Science and Technology, Nanjing, 210094, China)
資料名： Physics Letters. A  (Physics Letters. A)
巻： 381  号： 44  ページ： 3754-3759  発行年： 2017年 
JST資料番号： C0600B  ISSN： 0375-9601  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 電荷キャリアである零質量と光の有効速度を持っているので,Dirac点を有する材料は非常に驚くべき。しかし,Dirac点で予測した二次元シリコン同素体間では,実験により証明された直接されていない。この事実は他の二次元シリコン同素体を探索することを動機づけた。結果として,他の安定な単原子層の薄いシリコン同素体は本研究でCALYPSOコードの助けを借りてである。シリセン同素体は座屈形成とSi-Si結合により結合した八員環から構成されている。電子計算は,Fermi面に近い線形エネルギー分散関係を持つ半金属節線として挙動することを明らかにした。特に,ab initio分子動力学シミュレーションは,元の原子配置は1000Kさらにの非常に高い温度で,水素化はこのシリセン同素体における半金属-半導体転移を誘導するも維持されることができることを示した。は本研究では特別な応用を含めた単原子層の薄いシリコン同素体のファミリーを拡大することを望む。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： ケイ素 ,  エネルギー散逸 ,  二次元 ,  単原子層 ,  水素化 ,  *半金属 ,  Fermi面 ,  半導体 ,  線形性
準シソーラス用語： 分子動力学シミュレーション ,  Dirac点 ,  電荷キャリア ,  *同素体 ,  *シリセン ,  *Diracフェルミオン , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (3件)： シリセン同素体 ,  ノーダルライン半金属 ,  Diracフェルミオン

分類 (2件)： プラズマ一般  (BJ02010B) ,  気体放電  (BJ03020T)

タイトルに関連する用語 (5件)： Diracフェルミオン ,  半金属 ,  シリセン ,  同素体 ,  予測