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J-GLOBAL ID：201702228586025971   整理番号：17A1489214

変分計算を用いた励起子特性に及ぼすにおける1 xGax GaAs量子リングの大きさとGaモル含量の効果の研究【Powered by NICT】

Study of effects of size and Ga mole content of In 1 - x Ga x As / GaAs quantum ring on excitonic properties using the variational calculation

著者 (7件)： Ben Mansour Afef (Universite de Carthage, Institut Preparatoire aux Etudes Scientifiques et Techniques, Laboratoire Materiaux-Molecules et Applications, BP51, La Marsa 2070, Tunisia) ,  Ben Mansour Afef (Universite de Tunis, Ecole Nationale Superieure des Ingenieurs de Tunis, 5 Rue Taha Hussein - Montfleury, 1008 Tunis, Tunisia) ,  Kehili Mohamed Souhail (Universite de Carthage, Institut Preparatoire aux Etudes Scientifiques et Techniques, Laboratoire Materiaux-Molecules et Applications, BP51, La Marsa 2070, Tunisia) ,  Kehili Mohamed Souhail (Universite de Tunis, Ecole Nationale Superieure des Ingenieurs de Tunis, 5 Rue Taha Hussein - Montfleury, 1008 Tunis, Tunisia) ,  Melliti Adnen (Universite de Carthage, Institut Preparatoire aux Etudes Scientifiques et Techniques, Laboratoire Materiaux-Molecules et Applications, BP51, La Marsa 2070, Tunisia) ,  Melliti Adnen (Universite de Tunis, Ecole Nationale Superieure des Ingenieurs de Tunis, 5 Rue Taha Hussein - Montfleury, 1008 Tunis, Tunisia) ,  Maaref Mohamed Ali (Universite de Carthage, Institut Preparatoire aux Etudes Scientifiques et Techniques, Laboratoire Materiaux-Molecules et Applications, BP51, La Marsa 2070, Tunisia)
資料名： Physica B. Condensed Matter  (Physica B. Condensed Matter)
巻： 523  ページ： 78-84  発行年： 2017年 
JST資料番号： H0676B  ISSN： 0921-4526  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,三次元モデルを用いた1 xGax GaAs量子リング(QR)では半導体のエネルギースペクトルを計算することを目的とした。後者は薄いIn1 x WL xGax WLとして濡れ層(WL)上に存在する切断されたトーラスによりモデル化した。本研究の主な新規性は,変分法を用いた電子と正孔の基底状態エネルギーを計算した。格子不整合歪効果と電荷キャリアの閉込めプロファイルを計算に考慮した。電子に関しては,有効質量のエネルギー依存性は単一バンド有効質量近似を用いてSchroedinger方程式を解くことで考慮に入れた。さらに,QR径方向幅とGaモル含有量の関数としての励起子結合エネルギーと振動子強度の変分推定を報告した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： *ヒ化ガリウム ,  格子不整合 ,  半導体 ,  エネルギー依存性 ,  モデリング ,  結合エネルギー ,  エネルギー分布 ,  *変分法 ,  *ガリウム ,  振動子強度 ,  *励起子 ,  Schroedinger方程式 ,  基底状態 ,  有効質量
準シソーラス用語： *量子リング , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (6件)： 量子リング ,  ぬれ層 ,  有限障壁 ,  歪を受ける ,  変分計算 ,  励起子

分類 (3件)： 13-15族化合物を含む半導体-半導体接合  (BM03082Y) ,  ポーラロン,電子-フォノン相互作用  (BM02130P) ,  励起子  (BM02120E)

タイトルに関連する用語 (8件)： 変分計算 ,  励起子 ,  GaAs ,  量子リング ,  Ga ,  モル ,  含量 ,  研究