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J-GLOBAL ID：201702228605648636   整理番号：17A0504496

スクリーン印刷法で成長させた多結晶カルコゲナイド(Cd,Zn)半導体膜における光学的調査とDC伝導機構についての研究

Study on optical investigations and DC conduction mechanism in polycrystalline chalcogenide (Cd, Zn) semiconductor films grown by screen-printing method

著者 (3件)： KUMAR Vipin (Krishna Inst. of Engineering and Technol., Ghaziabad, IND) ,  AGARWAL Sonalika (Krishna Inst. of Engineering and Technol., Ghaziabad, IND) ,  DWIVEDI D. K. (M.M.M. Univ. Technol., Gorakhpur, IND)
資料名： Journal of Materials Science. Materials in Electronics  (Journal of Materials Science. Materials in Electronics)
巻： 28  号： 2  ページ： 1715-1719  発行年： 2017年01月 
JST資料番号： W0003A  ISSN： 0957-4522  CODEN： JMTSAS  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： II-VI化合物(カドミウムと亜鉛のカルコゲナイド)二元および三元半導体厚膜をスクリーン印刷でガラスにデポジットし,その後焼結した。スクリーン印刷は単純で低コスト,そこそこ正確でII-VI半導体膜を得る魅力的な方法である。制作した膜が多結晶であることをXRDで確認し,EDX分析でストイキオメトリを確認した。膜の光学バンドギャップと吸収係数を350~900nmの波長範囲の反射測定で決定した。バンドギャップは1.48から2.84eVの中にあり,可視光領域である。膜の伝導度は温度が上がると増加し,σ_DC対100/Tの線形性は伝導が熱活性過程によることを示している。

シソーラス用語： *スクリーン印刷 ,  多結晶 ,  *カルコゲン化物 ,  機構 ,  電気伝導 ,  化合物半導体 ,  光学ギャップ ,  吸収係数 ,  過程 ,  化学量論 ,  エネルギー分散X線分光分析 ,  X線回折
準シソーラス用語： II-VI化合物半導体 ,  XRD ,  カルコゲニド ,  ストイキオメトリ ,  光学バンドギャップ ,  *伝導機構 ,  熱活性化過程

分類 (1件)： 固体デバイス材料  (NC03020K)

タイトルに関連する用語 (12件)： スクリーン印刷法 ,  成長 ,  多結晶 ,  カルコゲナイド ,  Cd ,  Zn ,  半導体膜 ,  光学 ,  調査 ,  DC ,  伝導機構 ,  研究