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J-GLOBAL ID：201702228610678684   整理番号：17A0855035

負性静電容量効果を有する磁気Ge FinFETにおける超短チャネル制御の達成【Powered by NICT】

The achievement of the super short channel control in the magnetic Ge n-FinFETs with the negative capacitance effect

著者 (12件)： Liao Ming-Han (Department of Mechanical Engineering, National Taiwan University, Taipei, 10617, Taiwan, ROC) ,  Huang Hong-Yi (Department of Mechanical Engineering, National Taiwan University, Taipei, 10617, Taiwan, ROC) ,  Tsai Fu-An (Department of Mechanical Engineering, National Taiwan University, Taipei, 10617, Taiwan, ROC) ,  Chuang Chih-Chieh (Department of Mechanical Engineering, National Taiwan University, Taipei, 10617, Taiwan, ROC) ,  Hsu Min-Hsuan (Department of Mechanical Engineering, National Taiwan University, Taipei, 10617, Taiwan, ROC) ,  Lee Chang-Chun (Department of Mechanical Engineering, National Chung Hsing University, 145 Xingda Rd., South Dist., Taichung City 40227, Taiwan, ROC) ,  Lee Min-Hung (Institute of Electro-Optical Science and Technology, National Taiwan Normal University, Taipei, 10617, Taiwan, ROC) ,  Lien Chin (Center of Measurement Standards, Industrial Technology Research Institute, Hsinchu, 31040, Taiwan, ROC) ,  Hsieh Cho-Fan (Center of Measurement Standards, Industrial Technology Research Institute, Hsinchu, 31040, Taiwan, ROC) ,  Wu Teng-Chun (Center of Measurement Standards, Industrial Technology Research Institute, Hsinchu, 31040, Taiwan, ROC) ,  Wu Hung-Sen (Center of Measurement Standards, Industrial Technology Research Institute, Hsinchu, 31040, Taiwan, ROC) ,  Yao Chun-Wei (Department of Mechanical Engineering, Lamar University, Beaumont, TX, 77710, USA)
資料名： Vacuum  (Vacuum)
巻： 140  ページ： 63-65  発行年： 2017年 
JST資料番号： E0347A  ISSN： 0042-207X  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： n型フィン電界効果トランジスタ(n FinFETs)Geにおける超短チャネル制御(サブしきい値スイング=95mV/dec)は磁気ゲート積層方式を実装した形でゲート漏れ(J_g)-等価酸化膜厚(EOT)と超高k値(~312)の有望なゲート積層特性を介して達成される。一方,負の静電容量効果も低温測定で体因子(m=0.47)の抽出による磁気Ge FinFETで観察された。Ge FinFETにおける提案した磁気ゲート積層方式(誘電体層と磁気FePt膜として金属ゲートとして正方晶相BaTiO_3)は超J_g EOT特性,負性容量現象,有望なトランジスタ性能を持っている。高移動度(Ge)材料設計将来の低電力モバイルデバイスのための有用な解決策を提供する。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 低温 ,  *チャネル制御 ,  トランジスタ ,  誘電体 ,  フィン ,  材料設計 ,  *磁気 ,  FET【トランジスタ】 ,  *静電容量
準シソーラス用語： メタルゲート ,  等価酸化膜厚 ,  *短チャネル ,  サブ閾値スイング ,  *FinFET ,  *ネガティブキャパシタンス , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： 負性容量効果 ,  磁気ゲート積層 ,  Ge ,  FinFET

分類 (1件)： 金属薄膜  (BK14030T)

タイトルに関連する用語 (5件)： 負性静電容量 ,  磁気 ,  Ge ,  FinFET ,  短チャネル