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J-GLOBAL ID：201702228625252945   整理番号：17A0446063

インクジェット印刷したZTO TFTのための制御されたZrドーピング【Powered by NICT】

Controlled Zr doping for inkjet-printed ZTO TFTs

著者 (2件)： Kim Hunho (Department of Display Engineering, Hoseo University, Asan 336-795, Republic of Korea) ,  Choi Woon-Seop (Department of Display Engineering, Hoseo University, Asan 336-795, Republic of Korea)
資料名： Ceramics International  (Ceramics International)
巻： 43  号： 6  ページ： 4775-4779  発行年： 2017年 
JST資料番号： H0705A  ISSN： 0272-8842  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,インクジェット印刷酸化亜鉛スズ(ZTO)薄膜トランジスタ(TFT)の電気的性質に及ぼす制御されたZrドーピングの影響を調べた。以前の報告とは対照的に,特定のドーピング濃度以下では,改善された電気的特性を効果的に抑制した酸素空格子点,捕獲された電子,および制御されたキャリア濃度のために得られた。0.0025M Zrをドープしたインクジェット印刷したZTO TFTはドープされていないTFTと比較して6.43cm~/Vs,3.72×10~8,3.35V,及び0.53decのより高い移動度,高いオン/オフ電流比,より低い閾値電圧,及び低いサブしきい値勾配を示した。Zrをドープしたインクジェット印刷したZTO TFTのバイアス安定性も改善された。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： バイアス ,  酸化亜鉛 ,  キャリア密度 ,  薄膜トランジスタ ,  *ドーピング ,  *インクジェット印刷 ,  電気的性質 ,  移動度 ,  *ジルコニウム
準シソーラス用語： *インクジェット ,  サブ閾値 ,  閾値電圧 ,  オフ電流 ,  酸素空格子点 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (3件)： 酸化物TFT ,  ドーピング ,  インクジェット

分類 (1件)： セラミック・磁器の性質  (YC03030G)

タイトルに関連する用語 (4件)： インクジェット印刷 ,  TFT ,  Zr ,  ドーピング