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J-GLOBAL ID：201702228683276249   整理番号：17A0702782

強化された水素発生反応のための単分子層三元WS_2(1 x)Se_2xフレークの樹枝状成長【Powered by NICT】

Dendritic growth of monolayer ternary WS_2(1-x)Se_2x flakes for enhanced hydrogen evolution reaction

著者 (10件)： Zhang Yu (CAS Center for Excellence in Nanoscience, CAS Key Laboratory of Nanosystem and Hierarchical Fabrication National Center for Nanoscience and Technology, Beijing 100190, China. [e-mail]) ,  Liu Kaili ,  Wang Fengmei ,  Shifa Tofik Ahmed ,  Wen Yao ,  Wang Feng ,  Xu Kai ,  Wang Zhenxing ,  Jiang Chao ,  He Jun
資料名： Nanoscale  (Nanoscale)
巻： 9  号： 17  ページ： 5641-5647  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2323A  ISSN： 2040-3364  CODEN： NANOHL  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 二次元遷移金属二カルコゲン化物(TMD)は,その優れた電極触媒特性に起因する水素発生反応(HER)における多くの研究関心を集めている。二元TMDを超えて,電極触媒として,三元TMD合金もHERにおけるそれらの顕著な効率のための認識した。ここでは,単結晶SrTiO_3(STO(100))に豊富な活性エッジ部位を有する単分子層樹枝状三元WS_2(1 x)Se_2xフレークの合成に成功した。そして,得られた樹状WS_2(1 x)Se_2xフレークは任意の基板,例えば,SiO_2/SiとAu箔に移すことができた。興味深いことに,Au箔上に転写された樹枝状WS_2(1 x)Se_2xフレークは有意なHER性能,むしろ低いTafel勾配~ 69mV dec~ 1と~50.1μA cm~ 2の非常に高い交換電流密度他のCVD成長させた二次元TMDフレークをoutshiningによる反射を実証した。さらに,この新しい材料は,HERを電気触媒の優れた安定性を示し,優れた電極触媒であるためのそのロバスト性を示唆している。本研究は電極触媒作用における応用を満足に向けての二次元TMDの合成のための展望を広げると考えられる。Copyright 2017 Royal Society of Chemistry All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 合金 ,  *水素発生反応 ,  触媒 ,  二次元 ,  単結晶 ,  *単分子層 ,  ロバスト性 ,  金 ,  *フレーク ,  電極触媒
準シソーラス用語： 交換電流密度 ,  *樹枝状成長 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 電気化学反応  (CB07050F)

タイトルに関連する用語 (5件)： 強化 ,  水素発生反応 ,  単分子層 ,  フレーク ,  樹枝状成長