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J-GLOBAL ID：201702228697744976   整理番号：17A1038202

指STI DEMOSトランジスタのRESURFと破壊特性の解析解【Powered by NICT】

Analytical solution for RESURF and breakdown characteristics of finger STI DEMOS transistors

著者 (3件)： Tsai H.C. (NTHU, Taiwan) ,  Liou R.H. (TSMC, Taiwan) ,  Lien C.H. (NTHU, Taiwan)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： VLSI-TSA  ページ： 1-2  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 指STI DEMOSトランジスタを作製し,その電気的特性を研究した。等角写像法,ドーピング濃度の減少を関係づけるドレイン拡張(DE)フィンガーの幅(z_o)とポリ板とDEフィンガー間のギャップ(z_d)には,ドーピング濃度の低下を推定理論的に使用されている。この減少したドーピング濃度に基づいて,降伏電圧(BV)モデルを導出した。このモデルの予測は実験データと非常に良く一致した。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： *解析的解法 ,  *トランジスタ ,  電気的性質 ,  モデル ,  等角写像
準シソーラス用語： 絶縁破壊電圧 ,  推定理論 ,  *破壊特性 ,  *RESURF , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (6件)： 指 ,  STI ,  トランジスタ ,  RESURF ,  破壊特性 ,  解析解