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J-GLOBAL ID：201702228747211508   整理番号：17A1623930

Ge基板上のZrO_2薄膜ゲート酸化物の物理的および電気的特性に及ぼす酸化温度の影響【Powered by NICT】

Effect of oxidation temperature on physical and electrical properties of ZrO₂ thin-film gate oxide on Ge substrate

著者 (4件)： Lei Zhen Ce (Department of Mechanical Engineering, Faculty of Engineering, University of Malaya, 50603 Kuala Lumpur, Malaysia) ,  Goh Kian Heng (Department of Mechanical Engineering, Faculty of Engineering, University of Malaya, 50603 Kuala Lumpur, Malaysia) ,  Zainal Abidin Nor Ishida (Department of Mechanical Engineering, Faculty of Engineering, University of Malaya, 50603 Kuala Lumpur, Malaysia) ,  Wong Yew Hoong (Department of Mechanical Engineering, Faculty of Engineering, University of Malaya, 50603 Kuala Lumpur, Malaysia)
資料名： Thin Solid Films  (Thin Solid Films)
巻： 642  ページ： 352-358  発行年： 2017年 
JST資料番号： B0899A  ISSN： 0040-6090  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ゲルマニウム上にスパッタしたジルコニウム薄膜の金属-酸化物-半導体特性に及ぼす酸化温度の影響を酸素雰囲気中で体系的に調べた。試料は300°Cと800°Cの間の種々の温度で15分間酸化した。500°Cで酸化した試料は16.6MVcm~ 1の最高の電気絶縁破壊電場を実証した。膜の結晶性をX線回折により評価し,Fourier変換赤外,Raman,X線光電子分光法分析も行った。膜の微結晶サイズとマイクロ歪をWilliamson-Hallプロット解析により推定した。光学顕微鏡は,試料表面を検査するために使用し,そして,高分解能透過型電子顕微鏡法は,断面構造を調べるために実施した。GeO_2は600°C以上の温度で酸化した試料で検出された。二酸化ゲルマニウムのZrO_2層と形成を通しての酸素の拡散に関連する可能性のある熱酸化機構を提案し,議論した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 酸素 ,  絶縁破壊 ,  結晶度 ,  X線光電子分光法 ,  熱酸化 ,  *酸化 ,  *酸化物 ,  *電気的性質 ,  X線光電子スペクトル ,  微結晶 ,  *薄膜 ,  X線回折 ,  ゲルマニウム
準シソーラス用語： 二酸化ゲルマニウム ,  HRTEM ,  *ゲルマニウム基板 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  光物性一般  (BM08010A)

タイトルに関連する用語 (6件)： Ge基板 ,  薄膜 ,  ゲート酸化物 ,  物理 ,  電気的特性 ,  酸化