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J-GLOBAL ID：201702228753527344   整理番号：17A1544890

サブ2dB雑音は0.18μm CMOSにおける線形広帯域低雑音増幅器の登場【Powered by NICT】

A sub-2-dB noise figure linear wideband low noise amplifier in 0.18μm CMOS

著者 (3件)： Jafarnejad Roya (Faculty of Electrical and Computer Engineering, Tarbiat Modares University, Tehran, Iran) ,  Jannesari Abumoslem (Faculty of Electrical and Computer Engineering, Tarbiat Modares University, Tehran, Iran) ,  Sobhi Jafar (Faculty of Electrical and Computer Engineering, University of Tabriz, Tabriz, Iran)
資料名： Microelectronics Journal  (Microelectronics Journal)
巻： 67  ページ： 135-142  発行年： 2017年 
JST資料番号： A0186A  ISSN： 0026-2692  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,0.18μm CMOS技術における共通ゲート(CG)低雑音増幅器(LNA)サブ2dBの雑音指数(NF)広帯域差動を示した。回路は全体的な性能を改善するためのいくつかの新しい技術から利益を得る。だけでなく回路の利得を増強するが,また相互コンダクタンスと雑音性能を改善する同時に提案した新しい電流ブリージング方式。添加では,補助NMOSトランジスタを用いCG構造の雑音と入力整合条件の間のトレードオフを突破することである二重陽性フィードバック。さらに,添加したトランジスタは,プリディストーション性能を形成し,入力での主トランジスタの三次非線形性を沈降させるのに中程度の反転領域でバイアスした。このようにして,低雑音指数は,良好な直線性と同時に得られた。TSMC社の0.18μm RF-CMOSのレイアウト後のシミュレーション結果は,0.38 2 2.7GHzの 3dB帯域幅で20.1dBの電圧利得を示したが,S_11は周波数帯にわたって 10dB以下であった。最小NFは1.88dBに等しく,周波数帯にわたって達成される2.04dBの平均NF。第三に提案する回路の入力インターセプト点(IIP3)はdBmである。回路は0.055mm~2の面積を占める1.2V電源電圧から2.55mAを消費する。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： *線形性 ,  利得 ,  *広帯域 ,  非線形性 ,  相互コンダクタンス ,  *雑音 ,  *低雑音増幅器 ,  *CMOS ,  周波数帯 ,  トランジスタ ,  雑音指数 ,  シミュレーション
準シソーラス用語： 電源電圧 ,  IIP3 ,  電圧利得 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (6件)： サブ2dB ,  共通ゲート低雑音増幅器(CG LNA) ,  電流出血 ,  正のフィードバック ,  雑音消去 ,  プリディストーション

分類 (3件)： 半導体集積回路  (NC03162T) ,  発振回路  (NC05020Y) ,  増幅回路  (NC05040U)

タイトルに関連する用語 (6件)： サブ ,  雑音 ,  CMOS ,  線形 ,  広帯域 ,  低雑音増幅器