文献

J-GLOBAL ID：201702228983149336   整理番号：17A1376441

GaNナノワイヤに埋め込まれた積層(In,Ga)N量子ディスクの歪駆動の形態発展

Strain Driven Shape Evolution of Stacked (In,Ga)N Quantum Disks Embedded in GaN Nanowires

著者 (4件)： BARTOLOME Javier (Paul-Drude-Inst. Festkoerperelektronik, Berlin, DEU) ,  HANKE Michael (Paul-Drude-Inst. Festkoerperelektronik, Berlin, DEU) ,  VAN TREECK David (Paul-Drude-Inst. Festkoerperelektronik, Berlin, DEU) ,  TRAMPERT Achim (Paul-Drude-Inst. Festkoerperelektronik, Berlin, DEU)
資料名： Nano Letters  (Nano Letters)
巻： 17  号： 8  ページ： 4654-4660  発行年： 2017年08月 
JST資料番号： W1332A  ISSN： 1530-6984  CODEN： NALEFD  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 多重量子井戸またはディスクを軸方向に積層したナノワイヤにおいて,積層に沿って一様なサイズと形状分布をもつことは発光スペクトルの狭幅化にとり重要な課題である。ここではGaNナノワイヤ(直径~40nm,長さ~700nm)に埋め込まれる積層(In,Ga)ディスクのアスペクト比の軸方向の減少を高分解能透過型電子顕微鏡観察と有限要素法計算により研究し,積層方向に沿ったディスク形状の変化が系統的,予測可能であることを示した。HRTEM観察は,この系統的な減少が通常仮定されるナノワイヤの半径方向への活性領域の成長,またはInの成長端への蓄積ではなく,障壁の歪と直上に成長したディスクのアスペクト比の間の相関を示し,垂直方向のディスク間の歪相互作用を介した歪駆動機構に因ることを明らかにした。この相関はそれぞれのディスクのアスペクト比が下で成長したディスクに比較してより小さくするように作用する累積的な過程を引き起こす単純なモデルにより定性的に説明された。

シソーラス用語： *ナノワイヤ ,  *窒化ガリウム ,  *ナノ構造 ,  *インジウム化合物 ,  *ガリウム化合物 ,  *窒化物 ,  *結晶成長 ,  格子不整合 ,  *格子歪 ,  結晶形態 ,  高分解能電子顕微鏡 ,  透過型電子顕微鏡 ,  有限要素法 ,  多重量子井戸 ,  *アスペクト比
準シソーラス用語： FEM【有限要素法】 ,  HRTEM ,  *ナノディスク ,  *窒化インジウムガリウム

分類 (2件)： 半導体の結晶成長  (BK13040X) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (7件)： GaN ,  ナノワイヤ ,  Ga ,  量子ディスク ,  歪 ,  形態 ,  発展