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J-GLOBAL ID：201702229010795825   整理番号：17A1344872

固体駆動応用のための相変化と磁気メモリ【Powered by NICT】

Phase Change and Magnetic Memories for Solid-State Drive Applications

著者 (5件)： Zambelli Cristian (Dipartimento di Ingegneria, Universita` degli Studi di Ferrara, Ferrara, Italy) ,  Navarro Gabriele (CEA, LETI, Minatec CAMPUS, Grenoble Cedex, France) ,  Sousa Veronique (CEA, LETI, Minatec CAMPUS, Grenoble Cedex, France) ,  Prejbeanu Ioan Lucian (University Grenoble Alpes CEA-CNRS, SPINTEC, Grenoble Cedex, France) ,  Perniola Luca (CEA, LETI, Minatec CAMPUS, Grenoble Cedex, France)
資料名： Proceedings of the IEEE  (Proceedings of the IEEE)
巻： 105  号： 9  ページ： 1790-1811  発行年： 2017年 
JST資料番号： D0378A  ISSN： 0018-9219  CODEN： IEEPAD  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 最新固体ドライブ(SSD)は現在不均一不揮発性メモリ技術の限界を隠す部分的にNANDフラッシュとダイナミックランダムアクセスメモリ(DRAM)を統合した。しかし,処理要素の潜時に近い貯蔵層に位置する性能と結合した貯蔵密度増加要求に起因して,NANDフラッシュは重大なボトルネックになっている。DRAMも電力損失事象への脆弱性に起因するSSD信頼性の限界である。いくつか新興メモリ技術はそれらを置き換えるための候補,すなわちストレージクラスメモリである。相変化メモリと磁気メモリは,このカテゴリーに属している。本研究では,将来のディスクドライブにおけるそれらの可能な応用の観点から両技術をレビューし,新しい計算パラダイムを開くだけでなく待ち時間と信頼性の点で貯蔵特性を改善した。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 不揮発性メモリ ,  信頼性 ,  *相転移 ,  待ち時間 ,  DRAM ,  *磁気メモリ
準シソーラス用語： ハードディスクドライブ ,  相変化メモリ ,  脆弱性 ,  電力損失 ,  NANDフラッシュ , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (4件)： 固体 ,  応用 ,  相変化 ,  磁気メモリ