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J-GLOBAL ID：201702229012519012   整理番号：17A1033080

進行Siパワーエレクトロニクスのための低熱収支法による深い接合【Powered by NICT】

Deep junction by low thermal budget process for advanced Si power electronics

著者 (6件)： Toque-Tresonne Ines (Laser Systems and Solutions of Europe (LASSE), SCREEN Semiconductor Solutions Co. Ltd, GENNEVILLIERS, France) ,  Tabata Toshiyuki (Laser Systems and Solutions of Europe (LASSE), SCREEN Semiconductor Solutions Co. Ltd, GENNEVILLIERS, France) ,  Halty Sebastien (Laser Systems and Solutions of Europe (LASSE), SCREEN Semiconductor Solutions Co. Ltd, GENNEVILLIERS, France) ,  Mazzamuto Fulvio (Laser Systems and Solutions of Europe (LASSE), SCREEN Semiconductor Solutions Co. Ltd, GENNEVILLIERS, France) ,  Huet Karim (Laser Systems and Solutions of Europe (LASSE), SCREEN Semiconductor Solutions Co. Ltd, GENNEVILLIERS, France) ,  Mori Yoshihiro (Laser Systems and Solutions of Europe (LASSE), SCREEN Semiconductor Solutions Co. Ltd, GENNEVILLIERS, France)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： EDTM  ページ： 26-27  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 深い接合形成のための二つの新しいプロセスは融解領域を用いた低熱収支UVエキシマレーザアニーリングを実証した(i)高エネルギーイオン注入による深さ方向制御可能な活性化と(ii)高濃度ドープSi蒸着後の拡散と再結晶化。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： *パワーエレクトロニクス ,  方向制御 ,  再結晶 ,  *熱収支 ,  ドーピング ,  イオン注入 ,  蒸着
準シソーラス用語： 高濃度 ,  高エネルギー , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  半導体の結晶成長  (BK13040X)

タイトルに関連する用語 (3件)： Si ,  パワーエレクトロニクス ,  熱収支