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J-GLOBAL ID：201702229033607584   整理番号：17A1646231

電場と磁場の下にあるスピントロニクス素子のための一般的回路モデル【Powered by NICT】

A general circuit model for spintronic devices under electric and magnetic fields

著者 (2件)： Alawein Meshal (Computer, Electrical and Mathematical Sciences and Engineering Division, King Abdullah University of Science and Technology, Thuwal 23955-6900, Kingdom of Saudi Arabia) ,  Fariborzi Hossein (Computer, Electrical and Mathematical Sciences and Engineering Division, King Abdullah University of Science and Technology, Thuwal 23955-6900, Kingdom of Saudi Arabia)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： ESSDERC  ページ： 94-97  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,電場と磁場の両方の効果を捕捉することができる拡散スピントロニクス素子の回路モデルを提案した。十分に確立されたドリフト-拡散方程式の修正版から出発して,半導体/金属nonmagnetsと金属強磁性体の一般的な等価回路モデルを導出した。磁場下での熱ゆらぎ,強磁性体におけるスピンの散逸,およびスピン歳差運動のようなある種の効果を無視している可能性がある定常状態輸送方程式に基づいた他のモデルとは対照的に,このモデルは重要な物理学の大部分を組み込み,時間依存定式化に基づいている。著者らのモデルの適用は,磁場の存在下での非局所スピンバルブのシミュレーションによって示される,スピン歳差運動とデフェージングの現象を実証した(「Hanle効果」)ことを電気的測定の実験結果を再現する。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： *電場 ,  強磁性体 ,  デフェージング ,  電気測定 ,  *磁場 ,  半導体 ,  *回路モデル ,  時間依存性 ,  ドリフト ,  拡散方程式
準シソーラス用語： Hanle効果 ,  スピンバルブ ,  輸送方程式 ,  スピン歳差 ,  *スピントロニクス素子 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： プリント回路  (NA05040O)

タイトルに関連する用語 (4件)： 電場 ,  磁場 ,  スピントロニクス素子 ,  回路モデル